| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 1. 绪论 | 第13-20页 |
| 1.1 多项目晶圆简介 | 第13-17页 |
| 1.1.1 多项目晶圆技术意义 | 第13页 |
| 1.1.2 多项目晶圆技术的发展 | 第13-14页 |
| 1.1.3 多项目晶圆项目流程 | 第14页 |
| 1.1.4 多项目晶圆的切割 | 第14-16页 |
| 1.1.5 多项目晶圆的布图规划 | 第16-17页 |
| 1.2 多项目晶圆布图规划与切割算法难点与研究现状 | 第17页 |
| 1.3 论文的研究意义与创新点 | 第17-18页 |
| 1.3.1 研究意义 | 第17-18页 |
| 1.3.2 创新点 | 第18页 |
| 1.4 论文的主要研究内容与论文结构 | 第18-20页 |
| 2. MPW布图规划原理 | 第20-30页 |
| 2.1 常见的MPW布图模型 | 第20-24页 |
| 2.1.1 Non-slicing与Slicing结构 | 第20-21页 |
| 2.1.2 Slicing Tree与Normalized Polish Expression | 第21-22页 |
| 2.1.3 Grid | 第22-23页 |
| 2.1.4 Hierarchy Quardrisection | 第23-24页 |
| 2.2 模拟退火算法 | 第24-27页 |
| 2.2.1 固体的退火过程 | 第24页 |
| 2.2.2 模拟退火算法原理 | 第24-25页 |
| 2.2.3 模拟退火算法流程 | 第25-27页 |
| 2.3 MPW布图规划流程 | 第27-28页 |
| 2.3.1 代价函数的选择 | 第27-28页 |
| 2.3.2 MPW布图规划流程 | 第28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 3. MPW切割(划片)原理 | 第30-37页 |
| 3.1 Side-to-side切割 | 第30页 |
| 3.2 切割冲突 | 第30-33页 |
| 3.3 切割冲突图 | 第33-34页 |
| 3.4 MPW切割算法 | 第34-36页 |
| 3.4.1 图的基本概念 | 第34页 |
| 3.4.2 MPW切割算法原理 | 第34-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 4. 考虑缺陷率模型的MPW布图规划 | 第37-54页 |
| 4.1 改进的VOCO代价函数 | 第37-38页 |
| 4.2 缺陷率模型的引入 | 第38-42页 |
| 4.2.1 随机缺陷模型 | 第38-39页 |
| 4.2.2 芯片生产中的裕量 | 第39-42页 |
| 4.2.3 GVOCO公式 | 第42页 |
| 4.3 约束条件的引入 | 第42-47页 |
| 4.3.1 掩模尺寸大小约束条件 | 第42-44页 |
| 4.3.2 掩模尺寸宽高比约束条件 | 第44-45页 |
| 4.3.3 切割组约束条件 | 第45-46页 |
| 4.3.4 代价函数 | 第46-47页 |
| 4.4 MPW布图规划算法流程 | 第47-48页 |
| 4.5 布图结果示例 | 第48-53页 |
| 4.5.1 约束条件与布图结果 | 第49-50页 |
| 4.5.2 芯片生产裕量与布图结果 | 第50-53页 |
| 4.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 5.考虑随机缺陷的MPW切割 | 第54-59页 |
| 5.1 MPW预切割与后切割 | 第54页 |
| 5.2 MPW后切割问题 | 第54-56页 |
| 5.2.1 晶圆测试 | 第55页 |
| 5.2.2 MPW后切割问题的目标 | 第55-56页 |
| 5.3 考虑随机缺陷的MPW切割算法 | 第56-57页 |
| 5.3.1 代价函数 | 第56页 |
| 5.3.2 算法流程 | 第56-57页 |
| 5.4 实验结果 | 第57-58页 |
| 5.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 6. 总结与展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 作者简介 | 第62-63页 |
| 作者攻读硕士学位期间发表的论文和专利 | 第63页 |
