首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--微电子学、集成电路(IC)论文--一般性问题论文--制造工艺论文

基于纳米压痕和有限元仿真的TSV-Cu力学性能分析

摘要第4-5页
Abstract第5页
目录第6-8页
第1章 绪论第8-16页
    1.1 引言第8页
    1.2 电子封装技术第8-10页
        1.2.1 电子封装技术简介与发展第8-9页
        1.2.2 三维封装技术第9-10页
    1.3 TSV 技术第10-11页
        1.3.1 TSV 简介第10-11页
        1.3.2 TSV 的制作工艺第11页
    1.4 TSV-Cu 力学性能的研究现状第11-12页
        1.4.1 TSV-Cu 力学性能的研究意义第11-12页
        1.4.2 TSV-Cu 力学性能的研究方法与进展第12页
    1.5 纳米压痕技术第12-14页
        1.5.1 纳米压痕表征材料力性性能第13页
        1.5.2 纳米压痕法表征材料应力—应变关系第13-14页
    1.6 论文主要工作第14-16页
        1.6.1 主要研究内容第14页
        1.6.2 课题来源第14-16页
第2章 纳米压痕测试技术与实验第16-28页
    2.1 引言第16页
    2.2 纳米压痕实验设备与测试原理第16-22页
        2.2.1 纳米压痕仪介绍第16-18页
        2.2.2 纳米压痕测试原理第18-22页
    2.3 试样制备和纳米压痕实验第22-24页
        2.3.1 TSV-Cu 的制备第22-23页
        2.3.2 纳米压痕实验第23-24页
    2.4 实验结果与分析第24-25页
    2.5 本章小结第25-28页
第3章 反演分析法的理论分析第28-36页
    3.1 引言第28页
    3.2 有限元分析第28-29页
    3.3 纳米压痕过程中的量纲分析第29-32页
        3.3.1 量纲理论第29-30页
        3.3.2 压痕问题的量纲分析第30-32页
    3.4 反演分析计算第32-34页
        3.4.1 特征应力和特征应变第32-33页
        3.4.2 反演计算流程第33-34页
    3.5 本章小结第34-36页
第4章 TSV-Cu 的幂指数型应力—应变关系第36-46页
    4.1 引言第36页
    4.2 ABAQUS 简介第36-37页
    4.3 有限元模型第37-38页
    4.4 反演分析计算第38-45页
        4.4.1 特征应力的确定第39-41页
        4.4.2 应变强化指数的确定第41-42页
        4.4.3 特征应变的确定第42-43页
        4.4.4 TSV-Cu 的应力应变关系的确定第43-44页
        4.4.5 结果分析第44-45页
    4.5 本章小结第45-46页
结论第46-48页
参考文献第48-52页
攻读硕士学位期间所发表的学术论文第52-54页
致谢第54页

论文共54页,点击 下载论文
上一篇:非接触式智能卡芯片设计中的功耗优化
下一篇:碳纳米管透明导电层AlGaInP LED的电流扩展研究