摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
目录 | 第6-8页 |
第1章 绪论 | 第8-16页 |
1.1 引言 | 第8页 |
1.2 电子封装技术 | 第8-10页 |
1.2.1 电子封装技术简介与发展 | 第8-9页 |
1.2.2 三维封装技术 | 第9-10页 |
1.3 TSV 技术 | 第10-11页 |
1.3.1 TSV 简介 | 第10-11页 |
1.3.2 TSV 的制作工艺 | 第11页 |
1.4 TSV-Cu 力学性能的研究现状 | 第11-12页 |
1.4.1 TSV-Cu 力学性能的研究意义 | 第11-12页 |
1.4.2 TSV-Cu 力学性能的研究方法与进展 | 第12页 |
1.5 纳米压痕技术 | 第12-14页 |
1.5.1 纳米压痕表征材料力性性能 | 第13页 |
1.5.2 纳米压痕法表征材料应力—应变关系 | 第13-14页 |
1.6 论文主要工作 | 第14-16页 |
1.6.1 主要研究内容 | 第14页 |
1.6.2 课题来源 | 第14-16页 |
第2章 纳米压痕测试技术与实验 | 第16-28页 |
2.1 引言 | 第16页 |
2.2 纳米压痕实验设备与测试原理 | 第16-22页 |
2.2.1 纳米压痕仪介绍 | 第16-18页 |
2.2.2 纳米压痕测试原理 | 第18-22页 |
2.3 试样制备和纳米压痕实验 | 第22-24页 |
2.3.1 TSV-Cu 的制备 | 第22-23页 |
2.3.2 纳米压痕实验 | 第23-24页 |
2.4 实验结果与分析 | 第24-25页 |
2.5 本章小结 | 第25-28页 |
第3章 反演分析法的理论分析 | 第28-36页 |
3.1 引言 | 第28页 |
3.2 有限元分析 | 第28-29页 |
3.3 纳米压痕过程中的量纲分析 | 第29-32页 |
3.3.1 量纲理论 | 第29-30页 |
3.3.2 压痕问题的量纲分析 | 第30-32页 |
3.4 反演分析计算 | 第32-34页 |
3.4.1 特征应力和特征应变 | 第32-33页 |
3.4.2 反演计算流程 | 第33-34页 |
3.5 本章小结 | 第34-36页 |
第4章 TSV-Cu 的幂指数型应力—应变关系 | 第36-46页 |
4.1 引言 | 第36页 |
4.2 ABAQUS 简介 | 第36-37页 |
4.3 有限元模型 | 第37-38页 |
4.4 反演分析计算 | 第38-45页 |
4.4.1 特征应力的确定 | 第39-41页 |
4.4.2 应变强化指数的确定 | 第41-42页 |
4.4.3 特征应变的确定 | 第42-43页 |
4.4.4 TSV-Cu 的应力应变关系的确定 | 第43-44页 |
4.4.5 结果分析 | 第44-45页 |
4.5 本章小结 | 第45-46页 |
结论 | 第46-48页 |
参考文献 | 第48-52页 |
攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第52-54页 |
致谢 | 第54页 |