摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-20页 |
1.1 引言 | 第10-11页 |
1.1.1 LED 发展历史简介 | 第10页 |
1.1.2 LED 优点及应用 | 第10-11页 |
1.2 现阶段 LED 存在的问题 | 第11-12页 |
1.3 LED 电流扩展的研究现状 | 第12-18页 |
1.3.1 加强 LED 电流扩展的方法 | 第12-15页 |
1.3.2 CNT 的透光率和电导率研究现状 | 第15-18页 |
1.4 研究课题的思路和主要内容 | 第18-20页 |
第2章 LED 基本理论 | 第20-32页 |
2.1 漂移扩散模型 | 第20-22页 |
2.2 半导体 LED 的结构和原理 | 第22-24页 |
2.2.1 LED 基本原理 | 第22-23页 |
2.2.2 LED 基本结构 | 第23-24页 |
2.3 LED 特征参数 | 第24-30页 |
2.3.1 LED 电学特性 | 第24-26页 |
2.3.2 LED 光学特性 | 第26-27页 |
2.3.3 LED 的量子效率 | 第27-29页 |
2.3.4 半导体 LED 结温 | 第29-30页 |
2.4 本章小结 | 第30-32页 |
第3章 电流扩展基本理论分析与模拟 | 第32-52页 |
3.1 LED 电流扩展理论模型 | 第32-34页 |
3.2 漂移扩散模型在模拟计算中的应用 | 第34-36页 |
3.3 电流扩展的模拟与理论计算对比研究 | 第36-45页 |
3.3.1 理想因子的模拟计算 | 第36-38页 |
3.3.2 电流扩展长度和电极边缘电流密度的计算 | 第38-41页 |
3.3.3 电流扩展模拟与理论计算的对比 | 第41-45页 |
3.4 电流扩展模拟和有效载流子的分析 | 第45-50页 |
3.5 本章小结 | 第50-52页 |
第4章 新型 CNT 扩展层 AlGaInP LED 的测试与模拟分析 | 第52-64页 |
4.1 新型 CNT 透明导电层 AlGaInP LED 制备与分析 | 第52-60页 |
4.1.1 CNT AlGaInP LED 的制备 | 第52-55页 |
4.1.2 CNT AlGaInP LED 的测试结果 | 第55-60页 |
4.2 CNT AlGaInP LED 模拟与实验的对比 | 第60-62页 |
4.3 本章小结 | 第62-64页 |
结论 | 第64-66页 |
(1) 电流扩展理论与相关计算 | 第64页 |
(2) 垂直结构 AlGaInP LED 电流扩展模拟 | 第64页 |
(3) 新型 CNT 透明导电层 LED 的制备与分析 | 第64-66页 |
参考文献 | 第66-70页 |
攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第70-72页 |
致谢 | 第72页 |