| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-11页 |
| 1.2 发展现状与趋势 | 第11-15页 |
| 1.2.1 TSV模型及寄生参数提取 | 第11-12页 |
| 1.2.2 TSV耦合噪声分析 | 第12-13页 |
| 1.2.3 TSV传输信号分析 | 第13-15页 |
| 1.3 研究内容 | 第15页 |
| 1.4 论文的主要结构 | 第15-17页 |
| 2 TSV基本理论 | 第17-27页 |
| 2.1 TSV分类 | 第17-20页 |
| 2.2 传输线简介 | 第20-25页 |
| 2.2.1 传输线理论 | 第20-21页 |
| 2.2.2 传输线场分析 | 第21-24页 |
| 2.2.3 三种模式的划分 | 第24-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-27页 |
| 3 TSV等效电路模型及电学特性研究 | 第27-55页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 TSV寄生参数的提取 | 第28-32页 |
| 3.2.1 寄生电阻 | 第29页 |
| 3.2.2 寄生电感 | 第29-31页 |
| 3.2.3 寄生电容 | 第31-32页 |
| 3.2.4 衬底寄生参数 | 第32页 |
| 3.3 准TEM模式等效电路模型及电学特性 | 第32-42页 |
| 3.3.1 等效电路模型的验证 | 第34页 |
| 3.3.2 半径r变化对各个电学参数的影响 | 第34-38页 |
| 3.3.3 高度h变化对各个电学参数的影响 | 第38-40页 |
| 3.3.4 间距p变化对各个电学参数的影响 | 第40-42页 |
| 3.4 准 TEM 模式等效电路模型及电学特性 | 第42-47页 |
| 3.4.1 准TEM模式等效电路验证 | 第44-45页 |
| 3.4.2 半径r对插入损耗S21的影响 | 第45页 |
| 3.4.3 高度h对插入损耗S21的影响 | 第45-46页 |
| 3.4.4 间距p对插入损耗S21的影响 | 第46-47页 |
| 3.5 趋肤效应模式等效电路模型及电学特性 | 第47-53页 |
| 3.5.1 等效电路模型的验证 | 第49页 |
| 3.5.2 半径r变化对各个电学参数的影响 | 第49-51页 |
| 3.5.3 高度h变化对各个电学参数的影响 | 第51-53页 |
| 3.6 本章小结 | 第53-55页 |
| 4 同轴-环形TSV电学特性研究 | 第55-67页 |
| 4.1 同轴-环形TSV电学参数提取 | 第55-58页 |
| 4.2 仿真结果验证 | 第58-59页 |
| 4.3 结构参数变化对电学特性的影响 | 第59-65页 |
| 4.3.1 结构参数变化对CA-TSV的电阻的影响 | 第59-60页 |
| 4.3.2 结构参数变化对CA-TSV的电导的影响 | 第60-61页 |
| 4.3.3 结构参数变化对CA-TSV的电容的影响 | 第61页 |
| 4.3.4 结构参数变化对CA-TSV功率的影响 | 第61-62页 |
| 4.3.5 结构参数变化对时间常数的影响 | 第62-64页 |
| 4.3.6 结构参数变化同轴TSV特征阻抗的影响 | 第64-65页 |
| 4.4 CA-TSV的插入损耗 | 第65-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 5 总结与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 全文总结 | 第67-68页 |
| 5.2 研究展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第75页 |
