| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| ·前言 | 第11-12页 |
| ·集成电路失效分析 | 第12-13页 |
| ·集成电路失效机理 | 第13-15页 |
| ·缺陷定位技术国内外发展现状 | 第15-19页 |
| ·本论文的选题意义 | 第19页 |
| ·本论文的内容安排和主要创新点 | 第19-21页 |
| ·本章小结 | 第21-22页 |
| 第二章 缺陷定位技术研究及优化流程法 | 第22-37页 |
| ·PEM技术 | 第22-30页 |
| ·半导体材料发光机理 | 第23-24页 |
| ·光发射显微镜 | 第24-26页 |
| ·光发射源分类 | 第26页 |
| ·MOS晶体管、二极管和三极管发光特性研究 | 第26-30页 |
| ·OBIRCH技术 | 第30-33页 |
| ·OBIRCH工作原理 | 第31-32页 |
| ·OBIRCH的应用范围 | 第32-33页 |
| ·Schematic/Layout study | 第33页 |
| ·Microprobing测试技术 | 第33-34页 |
| ·优化流程法 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 优化流程法快速精确定位栅氧化层缺陷 | 第37-58页 |
| ·PEM直接定位MOS晶体管栅氧化层缺陷 | 第37-42页 |
| ·运用PEM进行缺陷定位 | 第38页 |
| ·Schematic/layout study | 第38-40页 |
| ·缺陷的物理特性分析 | 第40页 |
| ·缺陷形成原因分析 | 第40-42页 |
| ·组合运用PEM、Schematic/layout study、Microprobing以及OBIRCH定位MOS晶体管栅氧化层缺陷 | 第42-47页 |
| ·运用PEM进行缺陷定位 | 第42页 |
| ·Schematic/layout study | 第42-44页 |
| ·Microprobing测试 | 第44-45页 |
| ·OBIRCH分析 | 第45-46页 |
| ·缺陷的物理特性分析 | 第46-47页 |
| ·PEM直接定位电容上的栅氧化层缺陷 | 第47-51页 |
| ·运用PEM进行缺陷定位 | 第47-48页 |
| ·Schematic/layout study分析 | 第48-49页 |
| ·缺陷的物理特性分析 | 第49页 |
| ·缺陷形成原因分析 | 第49-51页 |
| ·组合运用PEM、Schematic/layout study、Microprobing以及OBIRCH定位电容上的栅氧化层缺陷 | 第51-56页 |
| ·运用PEM进行缺陷定位 | 第51-52页 |
| ·Schematic/layout study | 第52-53页 |
| ·Microprobing测试 | 第53-54页 |
| ·OBIRCH分析 | 第54页 |
| ·电容C2所在电路及其结构 | 第54-55页 |
| ·缺陷的物理特性分析 | 第55页 |
| ·缺陷形成原因分析 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 优化流程法快速精确定位金属层缺陷 | 第58-79页 |
| ·PEM直接定位金属层缺陷 | 第58-65页 |
| ·运用PEM进行缺陷定位 | 第58-59页 |
| ·Schematic/layout study | 第59-60页 |
| ·电路原理图版图深入分析及其Microprobing测试 | 第60-63页 |
| ·OBIRCH分析 | 第63页 |
| ·缺陷的物理特性分析 | 第63-64页 |
| ·缺陷形成原因分析 | 第64-65页 |
| ·组合运用PEM、Schematic/layout study、Microprobing以及OBIRCH定位金属层缺陷 | 第65-71页 |
| ·运用PEM进行缺陷定位 | 第65-66页 |
| ·Schematic/layout study | 第66-68页 |
| ·Microprobing测试 | 第68-69页 |
| ·OBIRCH分析 | 第69页 |
| ·缺陷的物理特性分析 | 第69-70页 |
| ·缺陷形成原因分析 | 第70-71页 |
| ·组合运用Schematic/layout study、Microprobing以及OBIRCH定位金属层缺陷 | 第71-77页 |
| ·运用PEM进行缺陷定位 | 第71页 |
| ·Schematic/layout study | 第71-72页 |
| ·Microprobing测试 | 第72-74页 |
| ·定位漏电流点的间接方法 | 第74-75页 |
| ·V-I测试 | 第75页 |
| ·OBIRCH缺陷定位 | 第75-76页 |
| ·异常OBIRCH点版图分析 | 第76-77页 |
| ·缺陷的物理特性分析 | 第77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 第五章 优化流程法快速精确定位过孔/接触孔缺陷 | 第79-104页 |
| ·组合运用PEM、Schematic/layout study、Microprobing以及OBIRCH定位阻性偏大过孔缺陷 | 第79-86页 |
| ·运用PEM进行缺陷定位 | 第80页 |
| ·Schematic/layout study | 第80-81页 |
| ·Microprobing测试 | 第81-83页 |
| ·OBIRCH缺陷定位 | 第83-84页 |
| ·缺陷的物理特性分析 | 第84-85页 |
| ·缺陷形成原因分析 | 第85-86页 |
| ·组合运用PEM、Schematic/layout study以及Microprobing定位开路过孔缺陷 | 第86-91页 |
| ·运用PEM进行缺陷定位 | 第86-87页 |
| ·Schematic/layout study | 第87-88页 |
| ·Microprobing测试 | 第88-89页 |
| ·缺陷的物理特性分析 | 第89-91页 |
| ·缺陷形成原因分析 | 第91页 |
| ·组合运用Schematic/layout study和Microprobing定位开路接触孔缺陷 | 第91-97页 |
| ·运用PEM进行缺陷定位 | 第92页 |
| ·Schematic/layout study | 第92-93页 |
| ·Microprobing测试 | 第93-96页 |
| ·缺陷的物理特性分析 | 第96-97页 |
| ·缺陷形成原因分析 | 第97页 |
| ·组合运用PEM、Schematic/layout study以及Microprobing定位开路接触孔缺陷 | 第97-102页 |
| ·运用PEM进行缺陷定位 | 第98页 |
| ·Schematic/layout study和Microprobing测试 | 第98-100页 |
| ·缺陷的物理特性分析 | 第100-101页 |
| ·缺陷形成原因分析 | 第101-102页 |
| ·本章小结 | 第102-104页 |
| 第六章 软缺陷定位方法研究 | 第104-121页 |
| ·OBIRCH定位软缺陷——动态同步法 | 第105-107页 |
| ·数字集成电路上的软缺陷定位实验分析 | 第107-113页 |
| ·运用PEM进行缺陷定位 | 第107-108页 |
| ·运用OBIRCH进行软缺陷定位 | 第108-111页 |
| ·软缺陷物理分析 | 第111-113页 |
| ·缺陷形成原因分析 | 第113页 |
| ·模拟混合信号集成电路上的软缺陷定位 | 第113-120页 |
| ·模拟混合信号参数异常变化的数字归一化处理方法 | 第114-115页 |
| ·模拟混合信号集成电路上的软缺陷定位 | 第115页 |
| ·运用PEM进行缺陷定位 | 第115-116页 |
| ·运用OBIRCH进行软缺陷定位 | 第116-118页 |
| ·软缺陷物理分析 | 第118-120页 |
| ·缺陷形成原因分析 | 第120页 |
| ·本章小结 | 第120-121页 |
| 第七章 总结与展望 | 第121-124页 |
| ·论文工作总结 | 第121-122页 |
| ·未来工作展望 | 第122-124页 |
| 参考文献 | 第124-134页 |
| 发表论文专利和参加科研情况说明 | 第134-136页 |
| 致谢 | 第136-137页 |
