首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体三极管(晶体管)论文

基于神经网络的微波射频器件建模

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-17页
   ·研究背景第9-10页
   ·国内外研究现状第10-13页
   ·本文研究内容及主要贡献第13-14页
   ·本文结构安排第14-15页
   ·本章小结第15-17页
第二章 神经网络建模技术第17-35页
   ·神经网络分类第17-23页
     ·多层感知神经网络第18-20页
     ·递归神经网络第20-22页
     ·动态神经网络第22-23页
   ·神经网络训练过程第23-26页
   ·神经网络优化算法第26-28页
     ·梯度优化算法第27页
     ·后向传播法第27-28页
   ·建模方法分类第28-32页
   ·建模环境概述第32-34页
     ·NeuroModelerplus软件第32-33页
     ·ADS软件第33-34页
   ·本章小结第34-35页
第三章 异质结双极型晶体管建模研究第35-51页
   ·已有Neuro-SM结构第36-37页
   ·新型Neuro-SM结构第37-43页
     ·电路结构第37-38页
     ·解析公式第38-40页
     ·训练过程第40-43页
   ·异质结双极型晶体管建模实例第43-49页
   ·本章小结第49-51页
第四章 封装晶体管建模研究第51-81页
   ·已有封装电路建模方法第52-54页
   ·基于神经网络的封装晶体管建模技术第54-66页
     ·封装电路的建模方法第55-57页
     ·非线性电路的建模方法第57-59页
     ·封装晶体管整体建模方法第59-63页
     ·封装晶体管模型实现方法第63-66页
   ·封装晶体管建模实例第66-78页
     ·AFT18S290模型为粗模型建模实例第66-71页
     ·Angelov模型为粗模型建模实例第71-78页
   ·本章小结第78-81页
第五章 记忆效应建模研究第81-97页
   ·基于动态神经网络的记忆效应模型第82-84页
   ·基于递归神经网络的记忆效应模型第84-89页
     ·记忆效应RNN模型结构第84-87页
     ·记忆效应RNN模型训练方法第87-88页
     ·记忆效应RNN模型在ADS中的实现第88-89页
   ·功率放大器记忆效应建模实例第89-96页
     ·Motorola功率放大器建模第90-93页
     ·Freescale功率放大器建模第93-96页
   ·本章小结第96-97页
第六章 总结与展望第97-99页
   ·本文工作总结第97-98页
   ·下一步工作建议第98-99页
参考文献第99-109页
附录A Motorola功率放大器电路第109-110页
附录B Freescale功率放大器电路第110-111页
发表论文和参加科研情况说明第111-113页
致谢第113-114页

论文共114页,点击 下载论文
上一篇:高功率脉冲磁控溅射技术及铁电可调谐微波元件的研究
下一篇:集成电路失效分析中缺陷快速精确定位技术及实验研究