| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-10页 |
| ·晶片测试及 PCM 作用介绍 | 第6-7页 |
| ·PCM 测试原理以及测试系统 | 第7-8页 |
| ·PCM 测试结构 | 第8-9页 |
| ·PCM 测试对芯片生产工艺的重要性 | 第9页 |
| ·课题内容、背景与意义 | 第9-10页 |
| 第二章 8英寸晶圆0.18微米逻辑制程工艺 | 第10-27页 |
| ·双阱 CMOS 器件形成工艺流程 | 第10-18页 |
| ·欧姆接触以及 ILD 工艺流程 | 第18-20页 |
| ·后段多层金属互连工艺流程 | 第20-27页 |
| 第三章 前段PCM常见参数及测试研究 | 第27-38页 |
| ·MOS 器件电性参数 | 第27-32页 |
| ·栅氧化层 GOI （ Gate oxide Integrity ）测试 | 第32-34页 |
| ·寄生晶体管测试 | 第34页 |
| ·PN Junction 测试 | 第34-35页 |
| ·薄膜电阻 RS （ Sheet Resistance ）测试 | 第35-38页 |
| 第四章 多层互连相关电阻电容的测试研究 | 第38-42页 |
| ·中介孔（ VIA ）电阻测试 | 第38-39页 |
| ·接触孔 (Contact ) 电阻测试 | 第39-40页 |
| ·金属层连线相关测试 | 第40-41页 |
| ·内层金属电介质电容测试 | 第41-42页 |
| 第五章 PCM参数异常实例研究 | 第42-58页 |
| ·帮助产品获取生产线异常信息 | 第42-49页 |
| ·帮助产品改善良品率 | 第49-55页 |
| ·帮助完善设计标准 | 第55-58页 |
| 第六章 结论与意义 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |