| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| ·集成电路技术的发展状况 | 第8页 |
| ·超大规模集成电路中多层互连线技术 | 第8-12页 |
| ·超大规模集成电路中多层互连线的流程 | 第9-10页 |
| ·超大规模集成电路多层金属互连技术的意义 | 第10-11页 |
| ·钨在超大规模集成电路中的应用 | 第11-12页 |
| ·几种常用的平坦化技术 | 第12-14页 |
| ·钨的化学机械抛光技术在超大规模集成电路中的应用 | 第14-18页 |
| ·化学机械抛光技术的相关理论 | 第14-15页 |
| ·CMP在钨插塞制作中的应用 | 第15-16页 |
| ·钨插塞CMP技术的研究现状与存在的问题 | 第16-18页 |
| ·本文拟解决的问题 | 第18-19页 |
| 第二章 钨CMP模型及相关影响因素 | 第19-28页 |
| ·钨CMP机理模型 | 第19-20页 |
| ·钨的化学物理性质 | 第19页 |
| ·钨的Kaufman机理模型 | 第19-20页 |
| ·钨CMP过程中机械作用和化学作用的协同效应 | 第20-22页 |
| ·化学因素的影响 | 第21页 |
| ·机器因素的影响 | 第21-22页 |
| ·钨CMP的主要技术指标 | 第22-27页 |
| ·去除速率 | 第22-23页 |
| ·选择性: | 第23-24页 |
| ·抛光片的平整度 | 第24页 |
| ·粗糙度 | 第24页 |
| ·缺陷 | 第24-27页 |
| ·碱性条件下钨CMP机理分析 | 第27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 ULSI多层布线钨插塞CMP抛光液的配方理论 | 第28-34页 |
| ·抛光液研究的前沿问题 | 第28页 |
| ·碱性抛光液成分的选择 | 第28-32页 |
| ·磨料的选择 | 第28-30页 |
| ·氧化剂的选择 | 第30-31页 |
| ·有机碱的选择 | 第31-32页 |
| ·表面活性剂的选择 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 W CMP速率试验与效果分析 | 第34-50页 |
| ·试验条件 | 第34-36页 |
| ·抛光设备 | 第34-35页 |
| ·检测设备 | 第35-36页 |
| · | 第36-44页 |
| ·抛光速率受磨料浓度的影响 | 第36-38页 |
| ·有机碱含量对pH值及抛光速率的影响 | 第38-41页 |
| ·氧化剂含量对抛光液的pH值及抛光速率的影响 | 第41-43页 |
| ·氧化剂和有机碱之间的相互影响 | 第43-44页 |
| ·外部条件变化对抛速的影响 | 第44-49页 |
| ·抛光的流量 | 第44-45页 |
| ·抛光的压力 | 第45-48页 |
| ·抛光的外部温度 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 多层布线中钨插塞抛光粗糙度的研究 | 第50-57页 |
| ·粗糙度的概念 | 第50页 |
| ·影响粗糙度的因素 | 第50-53页 |
| ·表面活性剂对粗糙度的影响 | 第51页 |
| ·磨料的影响 | 第51-52页 |
| ·抛光液中氧化剂含量表面粗糙度的影响 | 第52页 |
| ·温度对表面粗糙度的影响 | 第52页 |
| ·压力对表面粗糙度的影响 | 第52页 |
| ·流量的影响 | 第52-53页 |
| ·粗糙度的试验 | 第53-56页 |
| ·压力对表面粗糙度影响的试验 | 第53-54页 |
| ·氧化剂对表面粗糙度影响的试验 | 第54页 |
| ·流量和活性剂含量之间的影响 | 第54-55页 |
| ·磨料对表面粗糙度的影响 | 第55页 |
| ·优化条件试验 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |