| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-14页 |
| ·半导体产业的发展 | 第6-7页 |
| ·半导体技术的发展 | 第7-8页 |
| ·半导体制造的技术 | 第8-11页 |
| ·半导体制造技术的发展趋势 | 第11-13页 |
| ·本课题的研究背景与研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 物理气相淀积 | 第14-28页 |
| ·金属化及铝金属在IC生产中的应用 | 第14-18页 |
| ·PVD工艺技术及原理介绍 | 第18-23页 |
| ·等离子体在PVD工艺中的重要性及其形成 | 第23-28页 |
| 第三章 铝金属化 | 第28-33页 |
| ·铝金属化形成结的尖凸现象 | 第28-31页 |
| ·铝金属化产生的电迁移现象 | 第31-33页 |
| 第四章 IC生产中ALSICU工艺稳定性研究 | 第33-50页 |
| ·ALSICU的颗粒大小对刻蚀速率的影响 | 第33-39页 |
| ·ALSICU薄膜对晶圆表面颜色的影响 | 第39-46页 |
| ·ALSICU作为填孔金属的研究 | 第46-50页 |
| 第五章 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-53页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |