| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 第一章 研究背景 | 第7-9页 |
| 第一节 半导体产业发展的概况 | 第7-8页 |
| 第二节 浅沟槽隔离(STI)的背景 | 第8页 |
| 第三节 浅沟槽隔离(STI)概况 | 第8-9页 |
| 第二章 干法刻蚀工艺介绍 | 第9-20页 |
| 第一节 干法刻蚀的目的和方法 | 第9页 |
| 第二节 干法刻蚀的特点 | 第9-11页 |
| 第三节 干法刻蚀的机理 | 第11-12页 |
| 第四节 干法刻蚀的相关参数 | 第12-13页 |
| 第五节 干法刻蚀的反应式 | 第13-14页 |
| 第六节 干法刻蚀的方式 | 第14-16页 |
| 第七节 干法刻蚀的问题点 | 第16-20页 |
| 第三章 STI刻蚀工艺简介 | 第20-23页 |
| 第一节 浅沟槽隔离技术(STI)在半导体器件中的作用 | 第20-21页 |
| 第二节 浅沟槽隔离技术(STI)形成工艺及步骤 | 第21-22页 |
| 第三节 本实验浅沟槽隔离技术(STI)结构要求 | 第22-23页 |
| 第四章 STI刻蚀工艺条件开发过程 | 第23-33页 |
| 第一节 反应原理及方程式 | 第23页 |
| 第二节 实验原料和设备 | 第23-24页 |
| 第三节 原始工艺条件 | 第24页 |
| 第四节 基础数据的采集 | 第24-27页 |
| 第五节 实验结果的改善方向 | 第27-28页 |
| 第六节 实验片刻蚀的结果 | 第28-30页 |
| 第七节 实验结果扩展 | 第30-31页 |
| 第八节 优化后工艺条件的应用 | 第31-33页 |
| 第五章 结论 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 致谢 | 第35-36页 |