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深亚微米IC互连降阶分析与优化技术研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第1章 绪论第14-35页
    1.1 课题背景及研究的目的和意义第14-17页
    1.2 集成电路互连降阶分析方法国内外研究现状第17-25页
        1.2.1 空间投影降阶方法研究现状第19-20页
        1.2.2 截断降阶方法研究现状第20-22页
        1.2.3 函数近似模型降阶研究现状第22-23页
        1.2.4 集成电路互连降阶方法总结及存在的问题分析第23-25页
    1.3 集成电路互连性能与功耗优化国内外现状第25-33页
        1.3.1 集成电路设计挑战第26-28页
        1.3.2 物理技术层优化研究现状第28页
        1.3.3 版图和路由层面优化研究现状第28-29页
        1.3.4 电路层面优化研究现状第29-31页
        1.3.5 结构和系统层面优化现状第31-32页
        1.3.6 集成电路互连性能和功耗优化总结第32-33页
    1.4 本文的主要研究内容第33-35页
第2章 MOR 空间投影法研究第35-84页
    2.1 引言第35页
    2.2 集成电路互连的 RC 或 RCL 电路方程及数学模型第35-38页
        2.2.1 RCL 电路的集总单元描述第35-36页
        2.2.2 RCL 电路的积分-微分方程描述第36-37页
        2.2.3 RCL 电路的广义系统描述第37-38页
    2.3 空间投影法模型降阶数学基础分析第38-41页
        2.3.1 Krylov 子空间降阶的数学基础第38-40页
        2.3.2 Krylov 子空间与矩匹配之间的关系第40-41页
    2.4 基于广义逆的 Krylov 子空间投影降阶方法第41-47页
        2.4.1 存在的 Krylov 子空间降阶方法及广义逆问题形成第41-42页
        2.4.2 广义逆方法降阶的基本原理及分析第42-45页
        2.4.3 实验结果与分析第45-47页
    2.5 基于群智能算法的结构保留降阶方法第47-56页
        2.5.1 传统结构保留方法介绍及其不足分析第48-49页
        2.5.2 基于粒子群的结构保留方法第49-51页
        2.5.3 实验结果与讨论分析第51-56页
    2.6 基于广义结构保留的参数化模型降阶第56-73页
        2.6.1 已有参数化降阶方法及不足分析第56-58页
        2.6.2 均匀 RC 和 RLC 参数化互连系统降阶方法第58-64页
        2.6.3 非均匀 RC 和 RLC 参数化互连系统降阶方法第64-70页
        2.6.4 仿真实验结果与分析第70-73页
    2.7 基于空间投影降阶方法的时域误差限研究第73-82页
        2.7.1 空间投影误差限问题形成第74页
        2.7.2 脉冲响应积分误差限估计方法第74-76页
        2.7.3 基于误差系统的小样本估计近似误差限方法第76-78页
        2.7.4 基于频域误差限的时域误差限估计方法第78-79页
        2.7.5 误差系统重构法时域误差限估计方法第79-80页
        2.7.6 实验结果及分析第80-82页
    2.8 本章小结第82-84页
第3章 正交函数近似模型降阶及分析方法研究第84-105页
    3.1 引言第84页
    3.2 正交函数及其特性第84-86页
        3.2.1 广义正交函数特性分析第84-85页
        3.2.2 转移定义展开区间第85页
        3.2.3 矩阵函数近似第85-86页
    3.3 基于切比雪夫-小波函数的模型降阶方法第86-97页
        3.3.1 线性时不变系统状态表示描述第86-87页
        3.3.2 基于正交函数的模型降阶第87-88页
        3.3.3 切比雪夫模型降阶方法第88-89页
        3.3.4 小波及切比雪夫-小波模型降阶方法第89-92页
        3.3.5 切比雪夫-小波近似的误差分析第92-93页
        3.3.6 实验结果及分析第93-97页
    3.4 基于加权自适应阈值小波插值点选择降阶方法第97-103页
        3.4.1 多点模型降阶方法及问题分析第97-98页
        3.4.2 离散小波变换分析方法第98-99页
        3.4.3 基于加权阈值自适应 Haar 小波法插值点选择方法第99-100页
        3.4.4 实验结果及分析第100-103页
    3.5 本章小结第103-105页
第4章 互连系统的电路级优化研究第105-140页
    4.1 引言第105页
    4.2 参数变化下缓冲器插入优化研究第105-121页
        4.2.1 基于高斯拟合的快速缓冲器插入方法第105-114页
        4.2.2 基于图变换方式快速缓冲器插入方法第114-121页
    4.3 工艺变化不敏感动态电流模式互连电路低功耗优化设计第121-139页
        4.3.1 工艺变化不敏感电流模式互连电路分析及关键偏置电路设计第121-128页
        4.3.2 低功耗工艺变化不敏感电流模式互连电路实现与测试分析第128-139页
    4.4 本章小结第139-140页
第5章 互连系统的系统级优化研究第140-166页
    5.1 引言第140页
    5.2 系统级应用于变化条件下延时分析的缓冲器模型第140-147页
        5.2.1 反相器延时模型基础第140-142页
        5.2.2 集成电路衬底耦合效应对电路的性能影响第142页
        5.2.3 考虑衬底耦合效应的缓冲器延时模型第142-143页
        5.2.4 考虑工艺变化反相器延时模型及分析第143-145页
        5.2.5 实验仿真结果与分析第145-147页
    5.3 系统级精确互连时序优化方法第147-153页
        5.3.1 系统级互连延时优化模型第147-149页
        5.3.2 无工艺变化下系统级互连延时优化分析第149-151页
        5.3.3 工艺变化下系统级互连延时优化与分析第151-153页
    5.4 基于时分复用技术的低功耗数据总线 FV-BI 自适应编码第153-165页
        5.4.1 FV-BI 总线编码基础第153-155页
        5.4.2 FV-BI 总线编码第155-157页
        5.4.3 实验结果与分析第157-165页
    5.5 本章小结第165-166页
结论第166-168页
参考文献第168-179页
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果第179-182页
致谢第182-183页
个人简历第183页

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