| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第10-13页 |
| 1.1.1 三维集成 | 第10-11页 |
| 1.1.2 硅通孔互连结构 | 第11-13页 |
| 1.2 研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 本论文的主要贡献与创新 | 第14-15页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第15-16页 |
| 第二章 硅通孔互连结构建模的电磁学基础 | 第16-26页 |
| 2.1 电磁场中的基本关系 | 第16-21页 |
| 2.1.1 麦克斯韦方程组、本构关系与电磁场的势函数 | 第16-17页 |
| 2.1.2 复电磁能量及功率 | 第17页 |
| 2.1.3 电磁场的边界条件 | 第17页 |
| 2.1.4 导电体中的电荷弛豫（时域） | 第17-18页 |
| 2.1.5 电磁场的准静态近似与良导体 | 第18页 |
| 2.1.6 电磁学中的数学物理方程 | 第18-21页 |
| 2.2 传输线理论 | 第21-22页 |
| 2.3 电感的理解 | 第22-24页 |
| 2.3.1 电感的概念 | 第22页 |
| 2.3.2 电感的磁链角度定义与能量角度定义的等价性 | 第22-23页 |
| 2.3.3 二维空间中定义电感的理论依据 | 第23-24页 |
| 2.3.4 有耗圆柱导体的内阻抗 | 第24页 |
| 2.4 金属-绝缘体-半导体传输结构的准TEM模、慢波模和趋肤效应模 | 第24页 |
| 2.5 硅通孔互连结构建模中使用的假设 | 第24-26页 |
| 第三章 环形硅通孔对的等效电路模型 | 第26-42页 |
| 3.1 环形硅通孔对的结构 | 第26页 |
| 3.2 环形硅通孔的静电特性 | 第26-27页 |
| 3.3 环形硅通孔对的等效电路模型 | 第27-28页 |
| 3.4 阻抗模型 | 第28-34页 |
| 3.4.1 线性分解叠加 | 第28页 |
| 3.4.2 涡流场的求解 | 第28-34页 |
| 3.4.3 阻抗参数的计算 | 第34页 |
| 3.5 导纳模型 | 第34-36页 |
| 3.6 散射参数及结果验证 | 第36-42页 |
| 3.6.1 散射参数 | 第36页 |
| 3.6.2 ANSYS HFSS全波仿真 | 第36-37页 |
| 3.6.3 结果验证 | 第37-42页 |
| 第四章 屏蔽差分硅通孔的阻抗模型 | 第42-61页 |
| 4.1 屏蔽差分硅通孔的结构 | 第42页 |
| 4.2 涡流场的求解 | 第42-52页 |
| 4.2.1 泛定方程及通解 | 第42-44页 |
| 4.2.2 坐标变换 | 第44-47页 |
| 4.2.3 边界条件及方程的构建 | 第47-52页 |
| 4.3 阻抗参数的计算 | 第52-57页 |
| 4.3.1 能量法 | 第52-55页 |
| 4.3.2 模式分析法 | 第55-57页 |
| 4.4 ANSYS Maxwell涡流场仿真 | 第57页 |
| 4.5 结果验证 | 第57-61页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第61-63页 |
| 5.1 全文总结 | 第61页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第68-69页 |
| 附录：对基于模式基函数的部分元等效电路模型的改进 | 第69-72页 |
| F.1 部分互电感 | 第70-71页 |
| F.2 部分自电感 | 第71页 |
| F.3 结论 | 第71-72页 |
