钨的淀积和钨刻蚀残留的改善
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第5-8页 |
| 第二章 钨在集成电路制造中的应用 | 第8-14页 |
| 2-1、硅片在典型CMOS流程当中的主要制作步骤 | 第8-13页 |
| 2-2、钨在集成电路制造中的应用 | 第13-14页 |
| 第三章 CVD生长装置及原理 | 第14-22页 |
| 3-1、化学气相淀积 | 第14-15页 |
| 3-2、钨CVD生长工艺及原理 | 第15-19页 |
| 3-3、钨CVD生长装置 | 第19-22页 |
| 第四章 钨等离子体刻蚀原理 | 第22-26页 |
| 4-1、等离子体刻蚀 | 第22-24页 |
| 4-2、等离子体刻蚀钨原理 | 第24-26页 |
| 第五章 钨刻蚀残留的影响 | 第26-31页 |
| 5-1、钨刻蚀残留 | 第26-27页 |
| 5-2、典型异常现象 | 第27-31页 |
| 第六章 钨刻蚀残留的原因及改善 | 第31-55页 |
| 6-1、机械手搬送位置及速度 | 第31-36页 |
| 6-2、工艺腔位置校准精度 | 第36-40页 |
| 6-3、加热器状态 | 第40-42页 |
| 6-4、Throttle valve状态 | 第42-44页 |
| 6-5、钨薄膜的均匀性 | 第44-45页 |
| 6-6、钨生长模式 | 第45-50页 |
| 6-7、钨刻蚀充分度 | 第50-52页 |
| 6-8、切换温度 | 第52-55页 |
| 第七章 总结 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
