通孔刻蚀技术的应用
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-10页 |
| 1-1、通孔刻蚀在半导体制造中的意义 | 第6-7页 |
| 1-2、通孔刻蚀的背景 | 第7-8页 |
| 1-3、通孔刻蚀的现状与刻蚀设备 | 第8-9页 |
| 1-4、本文所研究的目的与主要内容 | 第9-10页 |
| 第二章 产品描述及膜层结构分析 | 第10-14页 |
| 2-1、通孔刻蚀的发展与综述 | 第10-11页 |
| 2-2、通孔刻蚀过程的分析 | 第11-12页 |
| 2-3、通孔膜层结构和CD尺寸 | 第12-14页 |
| 第三章 通孔刻蚀条件的初步选定 | 第14-16页 |
| 3-1、氮氧化硅和氧化硅刻蚀条件的选定 | 第14页 |
| 3-2、氧化硅刻蚀条件的选定 | 第14-16页 |
| 第四章 Etch Stop问题的分析与解决 | 第16-30页 |
| 4-1、Etch Stop问题的分析 | 第16-17页 |
| 4-2、工艺条件的改善 | 第17-30页 |
| 第五章 新条件Margin的确认 | 第30-37页 |
| 5-1、Top VIA确认 | 第30-31页 |
| 5-2、全参数Margin对CD的影响 | 第31-34页 |
| 5-3 特性和良率的验证 | 第34-37页 |
| 第六章 监控体制的建立 | 第37-40页 |
| 6-1、日常颗粒的监控 | 第37-38页 |
| 6-2、工艺腔体刻蚀速率的监控 | 第38页 |
| 6-3、刻蚀CD的监控 | 第38-39页 |
| 6-4、KLA监控 | 第39-40页 |
| 第七章 总结 | 第40-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
