| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1.前言 | 第5-7页 |
| 2.NBTI效应的作用机理 | 第7-10页 |
| 3.REACTION-DIFFUSION(R—D)模型 | 第10-14页 |
| ·退化对电压偏置的依赖倾向 | 第10-11页 |
| ·退化对温度依赖的倾向 | 第11-13页 |
| ·饱和态 | 第13-14页 |
| 4.新的半经验N_(IT) NBTI模型 | 第14-15页 |
| 5.集成电路计算机辅助设计简介 | 第15-24页 |
| ·集成电路计算机辅助设计的必要性 | 第15-16页 |
| ·模拟在IC设计中的地位和作用 | 第16-18页 |
| ·电路模拟的主要内容 | 第18-21页 |
| ·电路模拟软件SPICE简介 | 第21-24页 |
| 6.NBTI模型安装与模拟 | 第24-41页 |
| ·SPICE3 MOSFET NBTI模型模拟流程 | 第24-25页 |
| ·将NBTI模型引入BSIM4模型 | 第25-30页 |
| ·SPICE3网表 | 第30-35页 |
| ·模拟 | 第35页 |
| ·模拟结果分析 | 第35-39页 |
| ·对实际加速应力实验数据进行参数提取结果 | 第39-41页 |
| 7.局限性和不足,与未来的改进方向 | 第41-42页 |
| 8.结论 | 第42-43页 |
| 9.参考文献 | 第43-44页 |
| 10.后记 | 第44-45页 |