| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-26页 |
| ·半导体集成电路的发展和面临的挑战 | 第8-10页 |
| ·集成电路发展概述 | 第8页 |
| ·集成电路发展所面临的挑战 | 第8-10页 |
| ·铜互连的优势、存在的问题及其发展现状 | 第10-15页 |
| ·铜互连的优势 | 第10-12页 |
| ·铜互连存在的问题 | 第12页 |
| ·铜互连的发展现状 | 第12-15页 |
| ·扩散阻挡层技术及其发展状况 | 第15-23页 |
| ·扩散阻挡层的性能要求 | 第15-16页 |
| ·扩散阻挡层的分类 | 第16-17页 |
| ·扩散阻挡层的制备方法 | 第17-19页 |
| ·扩散阻挡层的研究现状 | 第19-23页 |
| ·本论文的研究意义、目的及内容 | 第23-26页 |
| ·本论文的研究意义和目的 | 第23页 |
| ·本论文的研究方法 | 第23-25页 |
| ·本论文的章节安排 | 第25-26页 |
| 第二章 阻挡层薄膜的制备及性能表征方法 | 第26-39页 |
| ·阻挡层薄膜的沉积方法 | 第26-29页 |
| ·溅射镀膜方法简介 | 第26页 |
| ·磁控反应溅射方法原理 | 第26-28页 |
| ·TXZ-500I磁控溅射镀膜机简介 | 第28-29页 |
| ·阻挡层薄膜样品的制备 | 第29-32页 |
| ·基片预处理 | 第29-30页 |
| ·磁控溅射 | 第30-31页 |
| ·快速热退火 | 第31-32页 |
| ·阻挡层薄膜特性的表征 | 第32-38页 |
| ·厚度的测量 | 第32-33页 |
| ·方块电阻的测量 | 第33-34页 |
| ·成分的表征 | 第34页 |
| ·组织结构的表征 | 第34-35页 |
| ·表面形貌的表征 | 第35-38页 |
| ·本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 Ta-Si-N薄膜的表面形貌与电学特性 | 第39-50页 |
| ·Si靶溅射功率对Ta-Si-N薄膜表面形貌与电学特性的影响 | 第39-45页 |
| ·Si靶溅射功率对Ta-Si-N/Si结构表面形貌的影响 | 第39-41页 |
| ·Si靶溅射功率对Ta-Si-N/Si结构电阻特性的影响 | 第41-44页 |
| ·Si靶溅射功率对Cu/Ta-Si-N/Si结构电阻特性的影响 | 第44-45页 |
| ·N_2/(N_2+Ar)流量比对Ta-Si-N薄膜表面形貌与电学特性的影响 | 第45-48页 |
| ·N_2/(N_2+Ar)流量比对Ta-Si-N/Si结构表面形貌的影响 | 第45-47页 |
| ·N_2/(N_2+Ar)流量比对Ta-Si-N/Si结构电阻特性的影响 | 第47-48页 |
| ·N_2/(N_2+Ar)流量比对Cu/Ta-Si-N/Si结构电阻特性的影响 | 第48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 Ta-Si-N薄膜的阻挡特性与失效机理 | 第50-68页 |
| ·Ta-Si-N薄膜的阻挡特性 | 第50-56页 |
| ·Ta-Si-N/Si结构的热稳定性 | 第50-52页 |
| ·Cu/Ta-Si-N/Si结构的热稳定性 | 第52-55页 |
| ·Si、N掺杂对Ta-Si-N扩散阻挡性能的影响机理 | 第55-56页 |
| ·Cu/Ta-Si-N/Si体系在高温退火下的失效机理 | 第56-65页 |
| ·Cu薄膜表面形貌的变化 | 第56-59页 |
| ·原子的互扩散和互反应 | 第59-63页 |
| ·氧对Ta-Si-N阻挡层阻挡性能的影响 | 第63-64页 |
| ·阻挡层失效的热动力学因素 | 第64-65页 |
| ·进一步改善Cu/Ta-Si-N/Si体系热稳定性的方法 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果 | 第80页 |
