| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-22页 |
| ·微电子封装技术 | 第9-10页 |
| ·无铅互连焊点面临的可靠性问题 | 第10-11页 |
| ·互连焊点电迁移的可靠性物理 | 第11-20页 |
| ·静电场下的扩散机理 | 第11-14页 |
| ·连焊点电迁移研究现状 | 第14-17页 |
| ·互连焊点电迁移抑制方法 | 第17-19页 |
| ·互连焊点电迁移研究趋势 | 第19-20页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第20-22页 |
| ·研究目的 | 第20-21页 |
| ·主要研究内容 | 第21-22页 |
| 2 电迁移试样制备与测试方法 | 第22-27页 |
| ·线性Ni-P/Sn/Cu焊点制备与电迁移测试 | 第22-24页 |
| ·线性Ni-P/Sn/Cu焊点制备 | 第22-23页 |
| ·线性Ni-P/Sn/Cu焊点电迁移测试 | 第23-24页 |
| ·倒装芯片Ni-P/Sn3.0Ag0.5Cu/Ni焊点制备与原位电迁移测试 | 第24-26页 |
| ·倒装芯片Ni-P/Sn3.0Ag0.5Cu/Ni焊点制备 | 第24页 |
| ·倒装芯片Ni-P/Sn3.0Ag0.5Cu/Ni焊点原位电迁移测试 | 第24-26页 |
| ·形貌观察与成分分析 | 第26-27页 |
| 3 线性Ni-P/Sn/Cu焊点热时效与电迁移 | 第27-50页 |
| ·初始焊点界面形貌 | 第27-28页 |
| ·150℃时效焊点界面形貌 | 第28-30页 |
| ·Ni-P为阴极时电迁移结果 | 第30-38页 |
| ·150℃,5×10~3 A/cm~2电迁移结果 | 第30-33页 |
| ·150℃,1.0×10~4A/cm~2电迁移结果 | 第33-36页 |
| ·200℃,1.0×10~4A/cm~2电迁移结果 | 第36-37页 |
| ·Ni-P阴极界面演变规律 | 第37-38页 |
| ·Cu为阴极时电迁移结果 | 第38-44页 |
| ·150℃,5×10~3A/cm~2电迁移结果 | 第38-39页 |
| ·150℃,1.0×10~4A/cm~2电迁移结果 | 第39页 |
| ·200℃,1.0×10~4A/cm~2电迁移结果 | 第39-43页 |
| ·Ni-P阳极界面演变规律 | 第43-44页 |
| ·界面IMCs生长动力学 | 第44-48页 |
| ·Cu侧界面IMCs生长动力学 | 第44-45页 |
| ·Ni-P侧界面IMCs生长动力学 | 第45-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 4 倒装芯片Ni-P/Sn3.0Ag0.5Cu/Ni焊点电迁移原位观察 | 第50-70页 |
| ·回流后焊点初始形貌 | 第50-51页 |
| ·倒装芯片焊点阴极失效演变 | 第51-57页 |
| ·电子从芯片流向基板 | 第51-57页 |
| ·电子从基板流向芯片 | 第57页 |
| ·倒装芯片焊点失效末期的形貌转变 | 第57-62页 |
| ·电迁移过程中的应力松弛 | 第62-67页 |
| ·应力松弛—钎料凸起或晶须 | 第63-66页 |
| ·应力松弛—晶界滑移 | 第66-67页 |
| ·钎料中IMC析出的影响因素 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 结论 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-79页 |
| 读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
