| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第15-18页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3 论文主要工作及内容安排 | 第20-23页 |
| 第二章 软错误理论基础 | 第23-33页 |
| 2.1 粒子辐射的来源 | 第23-25页 |
| 2.1.1 空间辐射环境 | 第23-24页 |
| 2.1.2 地面辐射环境 | 第24-25页 |
| 2.2 单粒子效应软错误 | 第25-29页 |
| 2.2.1 软错误产生机理 | 第25-26页 |
| 2.2.2 存储电路中的SEU | 第26-28页 |
| 2.2.3 逻辑电路中的SET和SEMT | 第28-29页 |
| 2.3 单粒子效应量化表述 | 第29-30页 |
| 2.3.1 翻转截面 | 第29-30页 |
| 2.3.2 软错误率 | 第30页 |
| 2.4 逻辑电路中SET的掩蔽效应 | 第30-32页 |
| 2.4.1 逻辑掩蔽效应 | 第31页 |
| 2.4.2 电气掩蔽效应 | 第31-32页 |
| 2.4.3 锁存窗口掩蔽效应 | 第32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 逻辑电路SER计算模型设计与实现 | 第33-57页 |
| 3.1 逻辑电路软错误的产生 | 第33-37页 |
| 3.1.1 软错误的产生概率模型 | 第33-34页 |
| 3.1.2 临界电荷的获取 | 第34-37页 |
| 3.2 三种掩蔽效应联合的SER计算模型 | 第37-41页 |
| 3.2.1 SET传播中的三种掩蔽效应模型 | 第38-40页 |
| 3.2.2 三种掩蔽效应联合的SER计算模型 | 第40-41页 |
| 3.3 SEMT脉冲分析模型 | 第41-43页 |
| 3.3.1 SEMT邻近故障对的提取 | 第41-42页 |
| 3.3.2 SEMT脉冲分析模型 | 第42-43页 |
| 3.4 电路分析及预处理 | 第43-49页 |
| 3.4.1 电路网表的获取 | 第43-46页 |
| 3.4.2 网表解析及层级化处理 | 第46-47页 |
| 3.4.3 预描述工艺库 | 第47-49页 |
| 3.5 考虑SEMT的SER计算模型的实现 | 第49-54页 |
| 3.5.1 SER计算模型整体框图 | 第49-50页 |
| 3.5.2 敏化路径的分析 | 第50-52页 |
| 3.5.3 电路整体SER算法的实现 | 第52-54页 |
| 3.6 本章小结 | 第54-57页 |
| 第四章 SER计算分析 | 第57-71页 |
| 4.1 SER计算方法验证 | 第57-61页 |
| 4.1.1 ISCAS’85组合基准测试电路集 | 第57-58页 |
| 4.1.2 ISCAS’85电路SER计算与结果分析 | 第58-61页 |
| 4.2 OpenMIPS处理器的SER计算 | 第61-63页 |
| 4.2.1 OpenMIPS处理器的设计 | 第61-62页 |
| 4.2.2 处理器电路SER计算与结果分析 | 第62-63页 |
| 4.3 电路SER随工作频率变化趋势 | 第63-64页 |
| 4.4 电路规模增长的SER变化趋势 | 第64-68页 |
| 4.4.1 组合逻辑电路分析 | 第64-65页 |
| 4.4.2 时序逻辑电路分析 | 第65-66页 |
| 4.4.3 电路规模增长的SER变化趋势 | 第66-68页 |
| 4.5 本章小结 | 第68-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-75页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第71-72页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第72-75页 |
| 参考文献 | 第75-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 作者简介 | 第83-84页 |