| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 论文研究意义 | 第7-8页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第8-10页 |
| 1.2.1 文献检索 | 第8-9页 |
| 1.2.2 研究综述 | 第9-10页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第10-11页 |
| 1.3.1 本文研究内容 | 第10页 |
| 1.3.2 本文组织结构 | 第10-11页 |
| 第二章 移动装置处理器芯片的性能特性与封装工艺要求 | 第11-14页 |
| 2.1 移动装置处理器芯片性能特性 | 第11-13页 |
| 2.1.1 芯片基本结构 | 第11-12页 |
| 2.1.2 芯片性能特性 | 第12-13页 |
| 2.2 移动装置处理器芯片的封装工艺 | 第13-14页 |
| 2.2.1 性能对封装的工艺要求 | 第13页 |
| 2.2.2 尺寸对封装的工艺要求 | 第13-14页 |
| 2.2.3 价格对封装的工艺要求 | 第14页 |
| 第三章 铜柱凸块覆晶技术及其在芯片封装工艺中的应用 | 第14-19页 |
| 3.1 铜柱凸块覆晶技术及其性能优势 | 第14-18页 |
| 3.1.1 铜柱凸块覆晶技术 | 第14-17页 |
| 3.1.2 主要技术性能优势 | 第17-18页 |
| 3.2 在芯片封装工艺中的应用及问题 | 第18-19页 |
| 3.2.1 在芯片封装工艺中的应用 | 第18-19页 |
| 3.2.2 尚需解决的关键技术问题 | 第19页 |
| 第四章 移动装置处理器芯片封装工艺的创新研究及方案 | 第19-34页 |
| 4.1 基于铜柱凸块覆晶技术的工艺创新研究 | 第19-32页 |
| 4.1.1 铜柱凸块应对机械应力的研究 | 第19-25页 |
| 4.1.2 铜柱凸块应对电子迁徙的研究 | 第25-27页 |
| 4.1.3 铜柱凸块应对焊接可靠性研究 | 第27-29页 |
| 4.1.4 铜柱凸块应对散热要求的研究 | 第29-32页 |
| 4.2 基于铜柱凸块覆晶技术的工艺解决方案 | 第32-34页 |
| 4.2.1 封装流程与芯片电性测试 | 第32-33页 |
| 4.2.2 铜柱凸块芯片IO分布的方案 | 第33-34页 |
| 第五章 工艺创新的项目实施管理及应用案例与实际效果 | 第34-50页 |
| 5.1 项目目标与主要任务 | 第34-35页 |
| 5.2 项目实施过程及管理 | 第35-45页 |
| 5.2.1 项目WBS分解 | 第35-36页 |
| 5.2.2 项目进程管理 | 第36-41页 |
| 5.2.3 人力资源计划 | 第41-42页 |
| 5.2.4 实施风险管理 | 第42-44页 |
| 5.2.5 项目质量控制 | 第44-45页 |
| 5.3 项目实施效果 | 第45-50页 |
| 5.3.1 项目设计效果 | 第45-48页 |
| 5.3.2 实际制作效果 | 第48-50页 |
| 第六章 结论与展望 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
