摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第一章 绪论 | 第7-20页 |
1.1 研究综述 | 第7-8页 |
1.2 铜互连和铜接触 | 第8-10页 |
1.2.1 铜接触的研究意义 | 第8-9页 |
1.2.2 带有不同双层阻挡层结构的铜接触系统 | 第9-10页 |
1.3 低K介质的CMP工艺的研究 | 第10-13页 |
1.3.1 低K介质材料 | 第10-11页 |
1.3.2 low-k材料SiOCH的CMP工艺的研究 | 第11-13页 |
1.4 薄膜粘附性测试 | 第13-19页 |
1.4.1 薄膜粘附性测试方法种类 | 第14-16页 |
1.4.2 四点弯曲粘附性测试 | 第16-19页 |
1.5 本论文研究内容 | 第19-20页 |
第二章 样品的制备和表征方法 | 第20-31页 |
2.1 Cu接触样品的制备和表征 | 第20-22页 |
2.1.1 Cu接触样品的制备 | 第20-21页 |
2.1.2 Cu接触样品的表征方法 | 第21-22页 |
2.2 不同阻挡层抛光液对于low-k影响的样品制备和表征 | 第22-27页 |
2.2.1 不同阻挡层抛光液对于low-k影响的样品制备 | 第22页 |
2.2.2 酸碱抛光液对于low-k影响的表征方法 | 第22-27页 |
2.3 四点弯曲粘附性测试样品的制备和表征 | 第27-31页 |
2.3.1 四点弯曲粘附性测试样品的制备 | 第27-28页 |
2.3.2 四点弯曲粘附性测试样品表征方法 | 第28-31页 |
第三章 新型Co/TaSiN和Ru/TaSiN双层结构作为用于铜接触扩散阻挡层的研究 | 第31-48页 |
3.1 引言 | 第31页 |
3.2 实验步骤和样品制备 | 第31-33页 |
3.3 Co/TaSiN的热稳定性研究 | 第33-39页 |
3.4 Ru/TaSiN的电学特性研究 | 第39-43页 |
3.5 四点弯曲法测量不同阻挡层和NiSi衬底之间的粘附性 | 第43-47页 |
3.6 本章小结 | 第47-48页 |
第四章 酸碱阻挡层抛光液对于超低多孔low-k介质性能的影响 | 第48-66页 |
4.1 引言 | 第48页 |
4.2 样品制备及测试方法 | 第48-49页 |
4.3 酸性阻挡层A抛光液和碱性阻挡层H抛光液对于low-k的影响分析和比较 | 第49-53页 |
4.4 Cabot酸性抛光液对于low-k(K=2.5)样品的影响分析 | 第53-56页 |
4.5 Cabot酸性抛光液对于两种超低low-k样品表面影响 | 第56-60页 |
4.5.1 K=2.25 | 第56-58页 |
4.5.2 K=2.35 | 第58-60页 |
4.6 四点弯曲测试测量阻挡层材料和low-k衬底之间的粘附性 | 第60-64页 |
4.6.1 初期测试及经验 | 第60-61页 |
4.6.2 阻挡层/low-k衬底之间的粘附性研究 | 第61-64页 |
4.7 本章小结 | 第64-66页 |
第五章 全文总结与展望 | 第66-68页 |
5.1 全文总结 | 第66-67页 |
5.2 研究展望 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-76页 |
致谢 | 第76-77页 |
硕士期间发表的相关论文 | 第77-78页 |