首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--微电子学、集成电路(IC)论文--一般性问题论文--制造工艺论文

新型铜接触工艺和化学溶液对超低K介质的损伤研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第7-20页
    1.1 研究综述第7-8页
    1.2 铜互连和铜接触第8-10页
        1.2.1 铜接触的研究意义第8-9页
        1.2.2 带有不同双层阻挡层结构的铜接触系统第9-10页
    1.3 低K介质的CMP工艺的研究第10-13页
        1.3.1 低K介质材料第10-11页
        1.3.2 low-k材料SiOCH的CMP工艺的研究第11-13页
    1.4 薄膜粘附性测试第13-19页
        1.4.1 薄膜粘附性测试方法种类第14-16页
        1.4.2 四点弯曲粘附性测试第16-19页
    1.5 本论文研究内容第19-20页
第二章 样品的制备和表征方法第20-31页
    2.1 Cu接触样品的制备和表征第20-22页
        2.1.1 Cu接触样品的制备第20-21页
        2.1.2 Cu接触样品的表征方法第21-22页
    2.2 不同阻挡层抛光液对于low-k影响的样品制备和表征第22-27页
        2.2.1 不同阻挡层抛光液对于low-k影响的样品制备第22页
        2.2.2 酸碱抛光液对于low-k影响的表征方法第22-27页
    2.3 四点弯曲粘附性测试样品的制备和表征第27-31页
        2.3.1 四点弯曲粘附性测试样品的制备第27-28页
        2.3.2 四点弯曲粘附性测试样品表征方法第28-31页
第三章 新型Co/TaSiN和Ru/TaSiN双层结构作为用于铜接触扩散阻挡层的研究第31-48页
    3.1 引言第31页
    3.2 实验步骤和样品制备第31-33页
    3.3 Co/TaSiN的热稳定性研究第33-39页
    3.4 Ru/TaSiN的电学特性研究第39-43页
    3.5 四点弯曲法测量不同阻挡层和NiSi衬底之间的粘附性第43-47页
    3.6 本章小结第47-48页
第四章 酸碱阻挡层抛光液对于超低多孔low-k介质性能的影响第48-66页
    4.1 引言第48页
    4.2 样品制备及测试方法第48-49页
    4.3 酸性阻挡层A抛光液和碱性阻挡层H抛光液对于low-k的影响分析和比较第49-53页
    4.4 Cabot酸性抛光液对于low-k(K=2.5)样品的影响分析第53-56页
    4.5 Cabot酸性抛光液对于两种超低low-k样品表面影响第56-60页
        4.5.1 K=2.25第56-58页
        4.5.2 K=2.35第58-60页
    4.6 四点弯曲测试测量阻挡层材料和low-k衬底之间的粘附性第60-64页
        4.6.1 初期测试及经验第60-61页
        4.6.2 阻挡层/low-k衬底之间的粘附性研究第61-64页
    4.7 本章小结第64-66页
第五章 全文总结与展望第66-68页
    5.1 全文总结第66-67页
    5.2 研究展望第67-68页
参考文献第68-76页
致谢第76-77页
硕士期间发表的相关论文第77-78页

论文共78页,点击 下载论文
上一篇:H.264视频编码标准的熵编码研究
下一篇:基于低端存储器测试平台的A/D转换器测试方案开发与实现