系统级封装（SiP）的可靠性与失效分析技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 SiP发展概述 | 第9-10页 |
| 1.2 SiP关键技术 | 第10-14页 |
| 1.2.1 高密度互连基板材料 | 第11页 |
| 1.2.2 芯片的互连方式与工艺技术 | 第11-13页 |
| 1.2.3 无源组件集成与内埋置技术 | 第13页 |
| 1.2.4 三维封装与组装技术 | 第13页 |
| 1.2.5 SiP可靠性技术 | 第13-14页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3.1 国外研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3.2 国内研究现状 | 第15页 |
| 1.4 本文的研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 SiP的典型结构与可靠性及失效分析技术 | 第17-51页 |
| 2.1 SiP的典型结构与可靠性 | 第17-33页 |
| 2.1.1 叠层裸芯片封装 | 第17-23页 |
| 2.1.2 封装堆叠（PoP） | 第23-26页 |
| 2.1.3 硅通孔（TSV）互连 | 第26-33页 |
| 2.2 SiP的失效分析技术 | 第33-49页 |
| 2.2.1 3D X-ray分析技术 | 第33-38页 |
| 2.2.2 磁显微缺陷定位技术 | 第38-42页 |
| 2.2.3 同步热发射分析技术 | 第42-45页 |
| 2.2.4 FIB缺陷分析技术 | 第45-49页 |
| 2.3 本章小结 | 第49-51页 |
| 第三章 典型SiP器件的焊点缺陷分析 | 第51-59页 |
| 3.1 失效分析程序 | 第51-52页 |
| 3.1.1 电测 | 第51-52页 |
| 3.1.2 缺陷定位 | 第52页 |
| 3.1.3 物理分析 | 第52页 |
| 3.2 PoP焊点缺陷分析 | 第52-58页 |
| 3.2.1 3D X-ray缺陷检测技术的应用 | 第52-54页 |
| 3.2.2 金相切片分析 | 第54-55页 |
| 3.2.3 结果分析与讨论 | 第55-58页 |
| 3.3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 典型SiP器件的静电击穿失效分析 | 第59-65页 |
| 4.1 静电击穿 | 第59页 |
| 4.2 磁显微缺陷定位技术的应用 | 第59-60页 |
| 4.3 破坏性失效分析验证 | 第60-64页 |
| 4.4 结果分析与讨论 | 第64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 总结与展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 附件 | 第73页 |
