| 摘要 | 第2-3页 |
| ABSTRACT | 第3页 |
| 1 引言 | 第12-26页 |
| 1.1 智能功率模块概述 | 第12-23页 |
| 1.1.1 功率MOSFET 发展现状 | 第12-14页 |
| 1.1.2 IGBT 发展现状 | 第14-16页 |
| 1.1.3 智能功率模块的特点和发展现状 | 第16-19页 |
| 1.1.4 常用智能功率模块封装结构 | 第19-21页 |
| 1.1.5 常用智能功率模块封装材料 | 第21-23页 |
| 1.2 低功耗智能功率模块特点与应用简介 | 第23-24页 |
| 1.2.1 低功耗智能功率模块特点 | 第23-24页 |
| 1.2.2 低功耗智能功率模块设计结构 | 第24页 |
| 1.2.3 低功耗智能功率模块的应用 | 第24页 |
| 1.3 本文研究的目的与内容 | 第24-26页 |
| 2 双列直插型低功耗智能功率模块封装结构设计与工艺 | 第26-34页 |
| 2.1 模块封装结构 | 第26-27页 |
| 2.2 模块封装工艺流程 | 第27-32页 |
| 2.3 低功耗智能功率模块封装工艺的主要缺陷 | 第32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 3 芯片焊接空洞缺陷形成的机理及其解决措施 | 第34-57页 |
| 3.1 芯片焊接空洞缺陷状况 | 第34-36页 |
| 3.2 芯片焊接空洞缺陷形成机理分析 | 第36-41页 |
| 3.2.1 工艺材料的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.2 工艺夹具的影响 | 第37-39页 |
| 3.2.3 工艺参数的影响 | 第39-41页 |
| 3.3 缺陷改善实验设计方案 | 第41-47页 |
| 3.3.1 以DBC 为基板的芯片焊接空洞改善实验设计方案 | 第42-44页 |
| 3.3.2 以IMS 为基板的芯片焊接空洞改善试验设计方案 | 第44-47页 |
| 3.4 试验结果与分析 | 第47-56页 |
| 3.4.1 焊接优化正交试验结果 | 第47-48页 |
| 3.4.2 影响芯片焊接空洞的因素分析 | 第48-51页 |
| 3.4.3 针对温度曲线进行优化的试验设计结果 | 第51-55页 |
| 3.4.4 改善措施 | 第55-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 4 塑封不完整缺陷形成的机理及其解决措施 | 第57-71页 |
| 4.1 塑封缺陷状况 | 第57-58页 |
| 4.2 塑封缺陷形成的机理分析 | 第58-63页 |
| 4.2.1 塑封工艺流程分析 | 第58页 |
| 4.2.2 材料，工具设备及工艺参数分析 | 第58-62页 |
| 4.2.3 工艺参数的影响 | 第62-63页 |
| 4.2.4 EMC 材料本身的影响 | 第63页 |
| 4.2.5 模具的影响 | 第63页 |
| 4.2.6 模块塑封体设计的影响 | 第63页 |
| 4.3 缺陷改善试验设计方案 | 第63-69页 |
| 4.3.1 试验设计方案，结果与分析 | 第64-69页 |
| 4.3.2 改善措施 | 第69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 5 总结与展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第75-78页 |
| 上海交通大学学位论文答辩决议书 | 第78页 |
