| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1 概述 | 第13-31页 |
| 1.1 课题背景 | 第14-16页 |
| 1.2 铜互连简介 | 第16-20页 |
| 1.3 Liner Remove 制程简介 | 第20-21页 |
| 1.4 干法刻蚀工艺 | 第21-24页 |
| 1.5 刻蚀反应腔及工作原理 | 第24-28页 |
| 1.6 刻蚀反应腔的精确匹配目的、目标与内容 | 第28-31页 |
| 2 半导体中的DOE 方法 | 第31-35页 |
| 2.1 DOE 优势 | 第31-33页 |
| 2.2 DOE 规划 | 第33-35页 |
| 3 与标准腔体（GOLDEN CHAMBER）的匹配 | 第35-42页 |
| 3.1 压力 | 第36-38页 |
| 3.2 温度 | 第38-39页 |
| 3.3 流量 | 第39-40页 |
| 3.4 功率 | 第40-41页 |
| 3.5 与标准腔体匹配的成果 | 第41-42页 |
| 4 工艺重复性的匹配 | 第42-55页 |
| 4.1 实时的反馈参数匹配 | 第43-44页 |
| 4.2 工艺参数调整 | 第44-52页 |
| 4.2.1 针对NU％ OOS 的对策 | 第45-46页 |
| 4.2.2 用DOE 方法改善保养机台之后NU％的上升问题 | 第46-52页 |
| 4.3 工艺重复性匹配的成果 | 第52-55页 |
| 5 机台保养前后的匹配 | 第55-56页 |
| 6 总结 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 注释 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第61页 |