28nm铜互连电容模型及热处理对互连线的影响
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 表格索引 | 第10-11页 |
| 插图索引 | 第11-13页 |
| 主要术语及符号说明 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-38页 |
| ·引言 | 第14-15页 |
| ·集成电路特点与研究历程 | 第15-18页 |
| ·集成电路的特点 | 第15-16页 |
| ·集成电路制造的研究历程 | 第16-18页 |
| ·集成电路铜互连工艺过程 | 第18-21页 |
| ·M1互连工艺 | 第19页 |
| ·M2互连工艺 | 第19-21页 |
| ·后道铜互连制程中的挑战 | 第21-36页 |
| ·RC延迟及电阻电容模型 | 第21-28页 |
| ·互连线及层间介质材料的选择 | 第28-31页 |
| ·阻挡层及种子层 | 第31-36页 |
| ·本文研究背景及研究内容 | 第36-38页 |
| 第二章 实验工艺及分析技术手段 | 第38-42页 |
| ·样品及制备工艺 | 第38-40页 |
| ·测试样品 | 第38页 |
| ·金属薄膜淀积技术 | 第38-39页 |
| ·化学机械研磨工艺 | 第39页 |
| ·热处理过程 | 第39-40页 |
| ·样品分析技术手段 | 第40-42页 |
| ·电子显微镜 | 第40页 |
| ·其他分析技术手段 | 第40-42页 |
| 第三章 28nm铜互连电容模型的研究 | 第42-58页 |
| ·引言 | 第42-43页 |
| ·28nm模型建立 | 第43-50页 |
| ·Zhao的基本电容模型[31] | 第45-48页 |
| ·修正因子 | 第48-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-55页 |
| ·模拟结果对比与讨论 | 第51-54页 |
| ·实验测量结果与讨论 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-58页 |
| 第四章 热处理对互连线影响的研究 | 第58-70页 |
| ·引言 | 第58-59页 |
| ·样品设计与制备 | 第59-60页 |
| ·结果与讨论 | 第60-70页 |
| ·热处理对合金元素扩散的影响 | 第60-64页 |
| ·热处理对互连线组织的影响 | 第64-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 全文总结 | 第70-71页 |
| 本文创新性与展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 致谢 | 第78-80页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第80-82页 |
