铜互连中的电流拥挤效应研究
摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-13页 |
1 绪论 | 第13-20页 |
·铜互连技术 | 第13-14页 |
·集成电路互连研究的重要性 | 第14-16页 |
·铜互连的可靠性研究 | 第16-18页 |
·本文研究内容和意义 | 第18-20页 |
2 铜互连电流拥挤效应实验 | 第20-29页 |
·铜互连电流拥挤效应的测试结构 | 第20-24页 |
·传统的电迁移测试方法 | 第20-23页 |
·专门设计的S 测试结构 | 第23-24页 |
·S 结构样品的制备与测试 | 第24-29页 |
·S 结构样品的制备 | 第24-27页 |
·S 结构样品的测试 | 第27-29页 |
3 铜互连中电流拥挤效应的理论计算 | 第29-37页 |
·电迁移的基本理论 | 第29-32页 |
·金属薄膜的缺陷和扩散 | 第30页 |
·原子电迁移的理论模型 | 第30-32页 |
·铜互连线中电流拥挤效应的理论计算 | 第32-37页 |
4 铜互连电流拥挤效应的模拟研究 | 第37-56页 |
·有限元分析软件简介 | 第38-44页 |
·有限元法简介 | 第38-39页 |
·热-电耦合分析理论基础 | 第39-43页 |
·ANSY S 有限元分析软件简介 | 第43-44页 |
·S 结构的热-电耦合分析 | 第44-54页 |
·定义单元类型 | 第44-45页 |
·定义材料的物理性质 | 第45-46页 |
·几何模型的建立 | 第46-47页 |
·网格的划分 | 第47-49页 |
·加载和求解 | 第49-51页 |
·热-耦合电分析结果 | 第51-54页 |
·讨论与分析 | 第54-56页 |
5 铜薄膜电阻特性研究 | 第56-63页 |
·金属薄膜电阻理论 | 第56-58页 |
·铜薄膜电阻特性研究 | 第58-62页 |
·晶界散射的影响 | 第58-59页 |
·表面散射的影响 | 第59-60页 |
·铜薄膜电阻测量新方法研究 | 第60-62页 |
·本章小结 | 第62-63页 |
6 结论 | 第63-65页 |
参考文献 | 第65-71页 |
致谢 | 第71-72页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第72页 |