| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| ·集成电路互连研究的重要性 | 第9-10页 |
| ·铜互连技术 | 第10-13页 |
| ·铜互连的发展 | 第10-11页 |
| ·铜互连的优势 | 第11-12页 |
| ·铜互连的可靠性问题 | 第12-13页 |
| ·本文研究意义 | 第13-14页 |
| ·论文的章节安排 | 第14-15页 |
| 第二章 铜互连工艺 | 第15-25页 |
| ·铜互连的双大马士革工艺流程 | 第15-16页 |
| ·铜的淀积工艺 | 第16-18页 |
| ·铜的平坦化工艺（CMP） | 第18-19页 |
| ·铜互连中的扩散阻挡层 | 第19-22页 |
| ·铜互连中阻挡层的必要性与基本要求 | 第19-20页 |
| ·铜互连阻挡层的分类 | 第20-21页 |
| ·铜互连中的超薄扩散阻挡层 | 第21-22页 |
| ·铜互连集成电路的问题及工艺展望 | 第22-23页 |
| ·铜引入集成电路存在的问题 | 第22-23页 |
| ·铜互连工艺发展的展望 | 第23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 铜互连可靠性基本理论 | 第25-37页 |
| ·铜互连与铝互连的可靠性问题对比 | 第25-27页 |
| ·材料特性的不同 | 第25-26页 |
| ·集成工艺不同 | 第26-27页 |
| ·电迁移的基本理论 | 第27-32页 |
| ·通孔损耗电迁移 | 第28-30页 |
| ·互连线损耗电迁移 | 第30-32页 |
| ·多层金属化系统 | 第32-33页 |
| ·时间相关介质击穿（TDDB） | 第33-35页 |
| ·提高铜互连可靠性的方法 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 铜互连中TDDB退化机制和影响因素 | 第37-47页 |
| ·铜互连中的TDDB问题 | 第37-39页 |
| ·铜互连中TDDB可靠性问题 | 第37页 |
| ·铜互连TDDB退化机理 | 第37-39页 |
| ·铜互连TDDB退化的影响因素 | 第39-44页 |
| ·击穿电场和温度与TDDB的关系 | 第39-40页 |
| ·CMP工艺对互连TDDB寿命的影响 | 第40-41页 |
| ·互连线边缘粗糙度对 TDDB 寿命的影响 | 第41-43页 |
| ·窄线宽的电场增强效应对TDDB寿命的影响 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-47页 |
| 第五章 铜互连时间相关介质击穿（TDDB）模型研究 | 第47-61页 |
| ·传统的TDDB模型 | 第47-48页 |
| ·传统E模型 | 第47-48页 |
| ·传统1/E模型 | 第48页 |
| ·铜互连的TDDB模型研究 | 第48-53页 |
| ·TDDB退化的物理模型 | 第49-51页 |
| ·TDDB退化预测模型的计算 | 第51-53页 |
| ·TDDB模型的结果分析 | 第53-58页 |
| ·TDDB失效时间与温度的关系 | 第53-56页 |
| ·互连线间距对TDDB失效时间的影响 | 第56-58页 |
| ·改善TDDB特性的措施 | 第58-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第六章 结束语 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 研究成果 | 第70-71页 |