GaN HEMT小信号等效电路参数提取
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·半导体材料发展历程及研究意义 | 第8-9页 |
| ·本课题科研状况 | 第9-11页 |
| ·本课题研究意义及内容 | 第11-13页 |
| 第二章 GaN HEMT 的物理机理及小信号模型 | 第13-25页 |
| ·GaN 材料特性 | 第13-15页 |
| ·GaN 材料的特性 | 第13页 |
| ·GaN 的化学特性 | 第13页 |
| ·GaN 的电学特性 | 第13-14页 |
| ·GaN 的光学特性 | 第14页 |
| ·GaN 材料生长 | 第14-15页 |
| ·GaN HEMT 器件的物理机理 | 第15-18页 |
| ·GaN HEMT 器件结构 | 第15-18页 |
| ·电容分布效应 | 第18页 |
| ·信号参数矩阵 | 第18-21页 |
| ·二端口网络的信号参数矩阵 | 第18-20页 |
| ·微波网络S 参数 | 第20-21页 |
| ·GaN HEMT 小信号参数模型 | 第21-23页 |
| ·传统模型 | 第21页 |
| ·新模型 | 第21-23页 |
| ·小结 | 第23-25页 |
| 第三章 GaN HEMT 小信号参数提取 | 第25-40页 |
| ·S 参数的测量 | 第25-26页 |
| ·二端口网络 | 第25-26页 |
| ·测量HEMT 的S 参数 | 第26页 |
| ·寄生参数提取 | 第26-30页 |
| ·寄生电容提取 | 第27-28页 |
| ·寄生电感提取 | 第28-29页 |
| ·电阻提取 | 第29-30页 |
| ·本征参数提取 | 第30-35页 |
| ·参数变换 | 第30-35页 |
| ·S 参数拟合 | 第35-38页 |
| ·模型仿真 | 第35页 |
| ·寄生参数拟合 | 第35-37页 |
| ·本征参数拟合 | 第37-38页 |
| ·14 元件模型与16 元件模型对比 | 第38页 |
| ·GaN HEMT 大信号模型参数提取概述 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第四章 GaN HEMT 功放概述及应用展望 | 第40-47页 |
| ·功率放大器 | 第40页 |
| ·功率放大器的原理 | 第40-42页 |
| ·功放的主要分类 | 第42-43页 |
| ·功率放大器的性能指标 | 第43-45页 |
| ·GaN HEMT 功放应用前景 | 第45-47页 |
| 结束语 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
