面向三维集成的硅通孔互连信号完整性与电气建模研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| ·三维集成发展背景 | 第13-17页 |
| ·三维集成技术 | 第13-14页 |
| ·三维集成互连技术 | 第14-15页 |
| ·三维集成中的硅通孔互连技术 | 第15-17页 |
| ·基于硅通孔的三维集成设计挑战 | 第17-19页 |
| ·三维集成电路的信号完整性研究 | 第17-18页 |
| ·三维集成封装和互连等效建模 | 第18-19页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 硅通孔互连通道传输特性分析 | 第21-34页 |
| ·硅通孔技术 | 第21-25页 |
| ·硅通孔类型 | 第21-23页 |
| ·硅通孔集成技术 | 第23页 |
| ·硅通孔工艺技术 | 第23-25页 |
| ·硅通孔互连通道的传输特性仿真分析 | 第25-33页 |
| ·硅通孔仿真模型 | 第25-26页 |
| ·时域仿真分析 | 第26-28页 |
| ·硅通孔通道的结构和材料参数仿真分析 | 第28-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 硅通孔互连通道的串扰研究 | 第34-47页 |
| ·串扰基础 | 第34-36页 |
| ·单攻击信号 | 第36-42页 |
| ·上升沿时间 | 第37-38页 |
| ·硅通孔直径 | 第38-39页 |
| ·硅通孔高度 | 第39页 |
| ·氧化物隔离层厚度 | 第39-40页 |
| ·硅通孔之间间距 | 第40-41页 |
| ·硅衬底类型 | 第41-42页 |
| ·防护线 | 第42页 |
| ·多攻击信号 | 第42-45页 |
| ·多攻击信号的影响 | 第43-44页 |
| ·同步开关模式的影响 | 第44-45页 |
| ·开关时延的影响 | 第45页 |
| ·不同 TSV 阵列布局的影响 | 第45-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 硅通孔互连通道等效建模 | 第47-63页 |
| ·硅通孔等效模型及参数提取方法 | 第47-54页 |
| ·π形等效电路模型 | 第47-48页 |
| ·T 形等效电路模型 | 第48-49页 |
| ·传输线等效电路模型 | 第49-51页 |
| ·交流方法 | 第51页 |
| ·准静态方法 | 第51页 |
| ·解析法 | 第51-54页 |
| ·硅通孔互连通道的可伸缩等效模型 | 第54-60页 |
| ·等效电容参数 | 第56-58页 |
| ·等效电导参数 | 第58-59页 |
| ·等效电阻参数 | 第59-60页 |
| ·等效电感参数 | 第60页 |
| ·硅通孔通道等效模型的仿真验证 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 硅通孔的 MOS 电容效应研究 | 第63-80页 |
| ·硅通孔 MOS 电容概述 | 第63-66页 |
| ·硅通孔电容结构 | 第63-64页 |
| ·电容-电压特性 | 第64-65页 |
| ·频率特性 | 第65-66页 |
| ·硅通孔耗尽层近似分析 | 第66-72页 |
| ·导体外表面耗尽层 | 第66-69页 |
| ·导体内表面耗尽层 | 第69-72页 |
| ·参数扫描分析 | 第72-76页 |
| ·硅通孔直径 | 第72页 |
| ·氧化物隔离层厚度 | 第72-73页 |
| ·氧化物隔离层材料 | 第73-74页 |
| ·硅通孔中心导体材料 | 第74-76页 |
| ·考虑耗尽层的电磁仿真 | 第76-78页 |
| ·设计指南初步总结 | 第78-79页 |
| ·硅通孔应用于信号传输网络 | 第78页 |
| ·硅通孔应用于电源配送网络 | 第78-79页 |
| ·硅通孔用作变容器 | 第79页 |
| ·本章小结 | 第79-80页 |
| 第六章 总结及展望 | 第80-83页 |
| ·总结 | 第80-81页 |
| ·展望 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 | 第88页 |
