| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 引言 | 第7-9页 |
| 第一章 半导体器件相关理论 | 第9-25页 |
| 第一节 电子的性质 | 第9-11页 |
| 第二节 杂质半导体 | 第11-13页 |
| 第三节 PN结基本原理 | 第13-16页 |
| 第四节 半导体表面 | 第16-18页 |
| 第五节 表面势 | 第18-19页 |
| 第六节 MOS场效应晶体管的基本特性 | 第19-23页 |
| 第七节 光罩式只读存储器(Mask ROM)工作原理 | 第23-25页 |
| 第二章 光罩式只读存储器新工艺的导入 | 第25-50页 |
| 第一节 光罩相关信息 | 第25-27页 |
| 第二节 工艺流程 | 第27-39页 |
| 第三节 重点工艺条件的建立 | 第39-50页 |
| 第三章 良率提升 | 第50-74页 |
| 第一节 电性参数RS BN+与良率的相关性 | 第50-57页 |
| 第二节 Gate Poly、Spacer和Contact蚀刻与良率的相关性 | 第57-66页 |
| 第三节 Vial蚀刻与良率的相关性 | 第66-70页 |
| 第四节 器件电性参数与良率的相关性 | 第70-73页 |
| 第五节 良率提升总结 | 第73-74页 |
| 第四章 可靠性验证 | 第74-80页 |
| 一、相关定义 | 第74页 |
| 二、主要测试项目及结果 | 第74-79页 |
| 三、结论 | 第79-80页 |
| 第五章 结论 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |