| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·IDDQ测试的发展过程 | 第10-11页 |
| ·IDDQ测试技术的优点 | 第11-13页 |
| ·有效提高测试故障覆盖率 | 第11-12页 |
| ·IDDQ测试的高可观察性 | 第12页 |
| ·针对芯片物理缺陷的有效筛选 | 第12-13页 |
| ·IDDQ测试对裸芯片的筛选 | 第13页 |
| ·IDDQ测试的发展前景及本论文意义 | 第13-15页 |
| ·IDDQ测试的发展前景 | 第13-14页 |
| ·本论文立题意义 | 第14-15页 |
| 第二章 IDDQ测试基本理论 | 第15-28页 |
| ·IDDQ测试的概念及原理 | 第15页 |
| ·IDDQ测试条件(可测性设计规则) | 第15-19页 |
| ·避免特殊电路结构的设计 | 第16-18页 |
| ·避免浮空总线的设计 | 第18页 |
| ·避免内部总线竞争的设计 | 第18-19页 |
| ·电路初始化 | 第19页 |
| ·IDDQ测试的实现方法 | 第19-23页 |
| ·遵循原则一的实现方法 | 第19-21页 |
| ·遵循原则二的实现方法 | 第21-22页 |
| ·集成的IDDQ测量单元 | 第22-23页 |
| ·IDDQ测试技术支持的故障模型 | 第23-27页 |
| ·桥接 | 第23-24页 |
| ·栅氧 | 第24-25页 |
| ·开路故障 | 第25-26页 |
| ·泄漏故障 | 第26页 |
| ·延迟故障 | 第26-27页 |
| ·伪固定故障 | 第27页 |
| ·传统IDDQ测试面临的挑战 | 第27-28页 |
| 第三章 深亚微米下IDDQ测试技术研究 | 第28-38页 |
| ·深亚微米工艺下IDDQ测试新的生机 | 第28页 |
| ·深亚微米工艺下IDDQ测量的实现方法 | 第28-34页 |
| ·电流信号(Current Signature)测量方法 | 第28-29页 |
| ·电流比(Current Ratio)测试方法 | 第29-31页 |
| ·差分IDDQ(Delta IDDQ或△IDDQ)测量方法 | 第31-33页 |
| ·其他深亚微米下芯片的IDDQ测量方法 | 第33-34页 |
| ·深亚微米工艺下芯片的测量方法的选择 | 第34页 |
| ·测试矢量的生成及优化 | 第34-38页 |
| ·测试矢量的类型 | 第35页 |
| ·IDDQ测试矢量的生成 | 第35-36页 |
| ·IDDQ测试向量的优化 | 第36-38页 |
| 第四章 0.18μM工艺技术下高清视频芯片的IDDQ测试 | 第38-53页 |
| ·待测芯片简介 | 第38页 |
| ·待测芯片样本空间的建立 | 第38-39页 |
| ·IDDQ电流测量数据采集 | 第39-40页 |
| ·集成电流测量模块的特征参数及应用范围 | 第39-40页 |
| ·集成电流测量模块的工作模式 | 第40页 |
| ·选择高质量的IDDQ测试向量 | 第40-43页 |
| ·高质量测试向量挑选原则 | 第41页 |
| ·测试向量挑选步骤 | 第41-43页 |
| ·筛选用于计算阈值的无缺陷样本芯片 | 第43-46页 |
| ·最小值-最大值(Min-Max)筛选法 | 第43-45页 |
| ·相关性(Correlation)筛选法 | 第45-46页 |
| ·有效IDDQ测量方法的选择 | 第46-53页 |
| ·电流比(Current Ratio)IDDQ测试方法分析 | 第46-48页 |
| ·△IDDQ分析 | 第48-49页 |
| ·优化后的△IDDQ分析 | 第49-51页 |
| ·三种测量方法测试结果比较 | 第51-53页 |
| 第五章 测试方案改进及结果讨论 | 第53-57页 |
| ·关于减少芯片误判的方法改进 | 第53-54页 |
| ·测试方案改进一 | 第53-54页 |
| ·测试方案改进二 | 第54页 |
| ·测试成本讨论 | 第54-57页 |
| ·测试成本分析 | 第54-55页 |
| ·测试成本比较 | 第55-57页 |
| 第六章 总结与展望 | 第57-59页 |
| ·总结 | 第57-58页 |
| ·展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 攻读学位期间发表学术论文及申请专利 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
