低温微波技术在栅介质中的应用研究
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 使用高K材料的必要性 | 第10-12页 |
| 1.3 高K栅介质 | 第12-15页 |
| 1.3.1 等效氧化层厚度 | 第12-13页 |
| 1.3.2 高K介质的选取标准 | 第13-15页 |
| 1.4 高K栅介质面临的挑战 | 第15-17页 |
| 1.4.1 阈值电压的控制 | 第15-16页 |
| 1.4.2 阈值电压的不稳定性 | 第16页 |
| 1.4.3. 迁移率的退化和驱动电流 | 第16-17页 |
| 1.5 提高阈值电压稳定性的方法 | 第17-18页 |
| 1.6 低温微波退火技术在未来IC制造上的应用 | 第18-20页 |
| 1.7 使用低温微波退火技术的原因 | 第20-21页 |
| 1.8 本论文其他章节的安排 | 第21-23页 |
| 第二章 微波及C-V测试原理 | 第23-52页 |
| 2.1 麦克斯韦方程 | 第23-24页 |
| 2.2 媒质中的微波 | 第24-25页 |
| 2.3 复电容率和复磁导率 | 第25-27页 |
| 2.4 复介电常数的物理基础 | 第27-28页 |
| 2.5 极化机制 | 第28-32页 |
| 2.5.1 电导损耗 | 第28-29页 |
| 2.5.2 偶极子弛豫或偶极子损耗 | 第29-31页 |
| 2.5.3 电子和原子极化 | 第31-32页 |
| 2.6 介质的微波加热 | 第32-36页 |
| 2.6.1 亥姆霍兹方程 | 第32-33页 |
| 2.6.2 测定微波中材料的热 | 第33-34页 |
| 2.6.3 功率损耗 | 第34-35页 |
| 2.6.4 介质材料中的趋肤深度 | 第35-36页 |
| 2.7 微波在材料中传播 | 第36-37页 |
| 2.8 电磁场的边界条件 | 第37-38页 |
| 2.8.1 边界条件的一般形式 | 第37页 |
| 2.8.2 理想介质表面上的边界条件 | 第37-38页 |
| 2.8.3 理想导体分界面上的场 | 第38页 |
| 2.9 均匀平面波方程 | 第38-42页 |
| 2.9.1 理想介质中的均匀平面波 | 第38-40页 |
| 2.9.2 导电媒质中的均匀平面波 | 第40-41页 |
| 2.9.3 良导体中的均匀平面波 | 第41-42页 |
| 2.10 媒质分界面上的平面波反射与投射 | 第42-49页 |
| 2.10.1 对导电媒质分界面的垂直入射 | 第43-44页 |
| 2.10.2 对理想导体平面的垂直入射 | 第44-46页 |
| 2.10.3 对理想介质分界面的垂直入射 | 第46-49页 |
| 2.11 MOS电容C-V特性的测试原理 | 第49-52页 |
| 2.11.1 本实验电容测试方法 | 第49-50页 |
| 2.11.2 MOS电容C-V特性 | 第50页 |
| 2.11.3 测试MOS电容的原理 | 第50-52页 |
| 第三章 微波退火对高K/金属栅中缺陷修复的研究 | 第52-62页 |
| 3.1 微波退火设备AXOM-200概述 | 第52-54页 |
| 3.2 实验过程 | 第54-56页 |
| 3.2.1 清洗硅片 | 第54页 |
| 3.2.2 原子层淀积HfO_2薄膜 | 第54-55页 |
| 3.2.3 微波退火和快速热退火 | 第55-56页 |
| 3.3 实验结果讨论 | 第56-61页 |
| 3.3.1 微波退火对固定电荷的修复 | 第56-58页 |
| 3.3.2 微波退火对快界面态的修复 | 第58-59页 |
| 3.3.3 微波退火对慢界面态的修复 | 第59-60页 |
| 3.3.4 微波退火对电荷陷阱的修复 | 第60-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 一种先栅MOS管的制备方法 | 第62-67页 |
| 4.1 引言 | 第62页 |
| 4.2 制备过程 | 第62-66页 |
| 4.3 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-78页 |
| 硕士阶段取得的学术成果 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
