| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-32页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 氧化石墨烯的制备方法及化学结构 | 第10-13页 |
| 1.3 柔性电子和阻变存储器介绍 | 第13-25页 |
| 1.3.1 柔性电子和新型存储器研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3.2 传统阻变存储器工作机理介绍 | 第14-19页 |
| 1.3.3 氧化石墨烯阻变机理研究现状 | 第19-25页 |
| 1.4 GO RRAM表征与测试方法 | 第25-31页 |
| 1.4.1 拉曼光谱(Raman spectroscopy) | 第25-26页 |
| 1.4.2 X射线光电子能谱(XPS) | 第26-27页 |
| 1.4.3 原子力显微镜(AFM) | 第27-29页 |
| 1.4.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第29-30页 |
| 1.4.5 RRAM电学测试方法 | 第30-31页 |
| 1.5 本文结构 | 第31-32页 |
| 第二章 Al/GO/ITO/PET结构柔性RRAM研究 | 第32-42页 |
| 2.1 Al/GO/ITO/PET结构柔性RRAM制备步骤 | 第32页 |
| 2.2 GO薄膜材料特性研究 | 第32-35页 |
| 2.3 Al/GO/ITO/PET柔性RRAM电学阻变特性研究 | 第35-40页 |
| 2.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第三章 GO薄膜阻变机理研究 | 第42-55页 |
| 3.1. 引言 | 第42页 |
| 3.2 GO薄膜原子级别阻变机理理论研究 | 第42-46页 |
| 3.2.1 Atomistix TooKit(ATK)软件介绍 | 第42页 |
| 3.2.2 GO RRAM原子级别模型建立 | 第42-43页 |
| 3.2.3 GO RRAM原子级别阻变机理理论结果及分析 | 第43-46页 |
| 3.3 GO薄膜隧穿原子力显微镜阻变实验研究 | 第46-49页 |
| 3.3.1 隧穿原子力显微镜(TUNA)介绍 | 第46页 |
| 3.3.2 实验方案及结果分析 | 第46-49页 |
| 3.4 基于微型电阻开关模型的RRAM数学建模研究 | 第49-54页 |
| 3.4.1 MATLAB软件介绍 | 第49页 |
| 3.4.2 微型电阻开关模型的建立 | 第49-52页 |
| 3.4.3 微型电阻开关模型模拟结果及讨论 | 第52-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 GO纳米带自旋输运特性研究 | 第55-63页 |
| 4.1 引言 | 第55-56页 |
| 4.2 氧化石墨烯纳米带自旋输运模型构建 | 第56-57页 |
| 4.3 结果及讨论 | 第57-58页 |
| 4.4 氧化石墨烯纳米带自旋过滤与自旋阀特性机理解释 | 第58-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 硕士阶段发表论文及科研成果 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
