| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·微电子封装 | 第11-15页 |
| ·微电子封装的概念和意义 | 第11页 |
| ·三级微电子封装 | 第11-12页 |
| ·微电子封装技术的发展 | 第12-13页 |
| ·微电子封装无铅化 | 第13-15页 |
| ·微电子封装可靠性 | 第15-18页 |
| ·微电子封装可靠性的研究意义 | 第15-16页 |
| ·影响无铅焊点可靠性的因素 | 第16-17页 |
| ·焊点的失效模式和失效机理 | 第17-18页 |
| ·电迁移现象的研究背景和研究现状 | 第18-22页 |
| ·电迁移现象的研究背景及意义 | 第18-20页 |
| ·电迁移现象的研究现状 | 第20-22页 |
| ·本文的研究内容 | 第22-23页 |
| 第二章 实验方案的选取与实验过程 | 第23-31页 |
| ·实验方案的选取 | 第23-27页 |
| ·电迁移原子迁移模型 | 第23-24页 |
| ·互连焊点中的电流拥挤效应 | 第24-25页 |
| ·焦耳热效应 | 第25-26页 |
| ·电迁移临界电流密度与临界温度 | 第26-27页 |
| ·试样制备 | 第27-28页 |
| ·实验材料 | 第27页 |
| ·试样的制作 | 第27-28页 |
| ·试样加载 | 第28-29页 |
| ·电迁移实验 | 第28-29页 |
| ·等温时效实验 | 第29页 |
| ·界面IMC检测 | 第29页 |
| ·抗拉强度测试 | 第29-31页 |
| 第三章 电迁移对Cu/SnAgCu/Cu无铅焊点可靠性的影响 | 第31-51页 |
| ·电迁移现象及界面成分分析 | 第31-32页 |
| ·电迁移现象 | 第31-32页 |
| ·界面成分分析 | 第32页 |
| ·不同温度下的电迁移效应 | 第32-41页 |
| ·100℃下的电迁移 | 第32-37页 |
| ·125℃下的电迁移 | 第37-41页 |
| ·电迁移作用下阴极界面IMC的演变 | 第41-46页 |
| ·焊后回流 3min试样 | 第41-43页 |
| ·焊后回流 5min试样 | 第43-46页 |
| ·理论分析 | 第46-50页 |
| ·电迁移作用下Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu系统中原子的扩散 | 第46-47页 |
| ·阳极界面IMC的生长动力学分析 | 第47-48页 |
| ·阴极界面IMC的溶解动力学分析 | 第48-49页 |
| ·电迁移对焊点拉伸性能的影响 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 等温时效对无铅焊点可靠性的影响 | 第51-65页 |
| ·Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Cu对接焊点的时效 | 第51-59页 |
| ·等温时效对焊点界面IMC生长的影响 | 第51-54页 |
| ·界面IMC生长的激活能 | 第54-55页 |
| ·时效对焊点力学性能的影响 | 第55-59页 |
| ·Cu/Sn-3.0Ag-0.5Cu/Ni对接焊点的时效 | 第59-63页 |
| ·初始界面IMC形貌及成分检测 | 第60页 |
| ·界面IMC形貌在时效过程中的变化 | 第60-63页 |
| ·对比分析 | 第63-64页 |
| ·对界面IMC生长演变的影响 | 第63页 |
| ·对力学性能的影响 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 Cu/Sn-9Zn/Cu无铅焊点的电迁移研究 | 第65-73页 |
| ·电迁移作用下Cu/Sn-9Zn/Cu焊点界面IMC的生长 | 第65-71页 |
| ·初始界面IMC及界面IMC成分检测 | 第65-66页 |
| ·界面IMC厚度检测方法 | 第66-67页 |
| ·电迁移作用下界面IMC的生长 | 第67-71页 |
| ·本章小结 | 第71-73页 |
| 结论 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-85页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第85-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
