| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第14-20页 |
| 1.1 半导体技术发展简介 | 第14-15页 |
| 1.2 铜互连技术的发展 | 第15-19页 |
| 1.3 论文的主要内容与章节安排 | 第19-20页 |
| 第二章 0.13微米铜互连现有技术介绍 | 第20-33页 |
| 2.1 0.13微米铜制程工艺介绍 | 第20-29页 |
| 2.1.1 铜大马士革制程简介 | 第21-25页 |
| 2.1.2 铜制程工艺简介 | 第25-29页 |
| 2.2 铜制程缺陷的研究现状及重要意义 | 第29-31页 |
| 2.2.1 铜制程主要缺陷的研究现状 | 第30页 |
| 2.2.2 鼓包状缺陷的研究现状及意义 | 第30-31页 |
| 2.3 小结 | 第31-33页 |
| 第三章 0.13微米鼓包状缺陷问题的实验分析 | 第33-50页 |
| 3.1 铜金属层相关性能的测定方法 | 第33-42页 |
| 3.1.1 缺陷检查 | 第34-40页 |
| 3.1.2 铜金属层电性参数的测量 | 第40-41页 |
| 3.1.3 铜金属层连线可靠性测试方法 | 第41-42页 |
| 3.2 鼓包状缺陷问题的实验分析 | 第42-43页 |
| 3.3 鼓包状缺陷产生的原因实验分析 | 第43-49页 |
| 3.3.1 鼓包状缺陷的电性特征 | 第43-44页 |
| 3.3.2 有机介质层(BARC)涂布的不均匀性 | 第44-45页 |
| 3.3.3 蚀刻率的不均匀性 | 第45-46页 |
| 3.3.4 氮化硅层的大应力效应 | 第46-49页 |
| 3.4 小结 | 第49-50页 |
| 第四章 解决铜制程鼓包状缺陷问题的实验和结果 | 第50-57页 |
| 4.1 提高BARC涂布的均匀性的实验分析 | 第50-51页 |
| 4.2 改善蚀刻的蚀刻率的实验分析 | 第51-54页 |
| 4.3 从电路图形设计规则检验(DRC)方面来预防 | 第54-55页 |
| 4.4 结果和讨论 | 第55-56页 |
| 4.5 小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结 | 第57-59页 |
| 5.1 主要工作与创新 | 第57页 |
| 5.2 后续研究工作 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第64页 |