| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 1 化学机械抛光概述 | 第11-25页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第11-12页 |
| 1.2 CMP技术简介 | 第12-16页 |
| 1.2.1 CMP原理 | 第12-13页 |
| 1.2.2 CMP的影响因素 | 第13-16页 |
| 1.3 化学机械抛光机理与模型研究现状 | 第16-22页 |
| 1.3.1 经验模型 | 第17页 |
| 1.3.2 接触力学模型 | 第17-20页 |
| 1.3.3 流体力学模型 | 第20-21页 |
| 1.3.4 混合润滑模型 | 第21-22页 |
| 1.4 研究内容 | 第22-23页 |
| 1.5 本文组织架构 | 第23-25页 |
| 2 实验探究抛光工艺参数对抛光性能的影响 | 第25-37页 |
| 2.1 实验方案 | 第25-30页 |
| 2.2 结果与发现 | 第30-35页 |
| 2.2.1 工艺参数对硬盘基片晶圆表面质量的影响 | 第30-34页 |
| 2.2.2 工艺参数对硬盘基片晶圆表面材料去除率的影响 | 第34-35页 |
| 2.3 本章小结 | 第35-37页 |
| 3 抛光垫与晶圆之间的接触模型 | 第37-51页 |
| 3.1 表面微凸体的参数特征 | 第38-40页 |
| 3.2 晶圆与单个微凸体的接触模型 | 第40-46页 |
| 3.2.1 微凸体发生完全弹性变形 | 第40-41页 |
| 3.2.2 微凸体发生完全塑性变形 | 第41-42页 |
| 3.2.3 微凸体发生弹塑性变形 | 第42-46页 |
| 3.3 晶圆与抛光垫之间的接触模型 | 第46-47页 |
| 3.4 模型对比 | 第47-49页 |
| 3.4.1 归一化接触状态变量 | 第47页 |
| 3.4.2 接触模型对比 | 第47-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-51页 |
| 4 晶圆-磨粒-抛光垫之间相互作用规律研究 | 第51-67页 |
| 4.1 活性磨粒数量的计算 | 第51-53页 |
| 4.2 晶圆-磨粒-抛光垫之间的相互作用 | 第53-60页 |
| 4.2.1 非接触状态下的相互作用规律 | 第55-57页 |
| 4.2.2 部分接触状态下的相互作用规律 | 第57-60页 |
| 4.2.3 完全接触状态下的相互作用规律 | 第60页 |
| 4.3 接触界面处的载荷分配 | 第60-61页 |
| 4.4 化学作用对CMP的影响 | 第61-63页 |
| 4.5 磨粒变形对CMP的影响 | 第63-65页 |
| 4.6 本章小结 | 第65-67页 |
| 5 各接触状态的存在条件及材料去除差异 | 第67-83页 |
| 5.1 局部单元压痕模式下三种接触状态的分析与研究 | 第68-79页 |
| 5.1.1 抛光垫的表面结构和特性 | 第68-69页 |
| 5.1.2 抛光垫微凸体与晶圆的接触 | 第69-72页 |
| 5.1.3 晶圆-磨粒-抛光垫的接触作用研究 | 第72-73页 |
| 5.1.4 各接触状态下的材料去除率方程 | 第73-77页 |
| 5.1.5 模型验证 | 第77-78页 |
| 5.1.6 局部单元压痕模式下的研究总结 | 第78-79页 |
| 5.2 整体单元弯曲模式下不同接触状态的分析与研究 | 第79-81页 |
| 5.2.1 模型的建立 | 第79-81页 |
| 5.2.2 整体单元弯曲模式下的研究总结 | 第81页 |
| 5.3 本章小结 | 第81-83页 |
| 6 总结与展望 | 第83-85页 |
| 6.1 全文总结 | 第83-84页 |
| 6.2 研究展望 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-91页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第91-95页 |
| 学位论文数据集 | 第95页 |
