集成电路生产中漏极饱和电流均匀性控制
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 漏极饱和电流均匀性控制方法研究 | 第9-10页 |
| 1.3 集成电路制造中漏极饱和电流的研究现状 | 第10页 |
| 1.4 本文结构 | 第10-12页 |
| 第2章 CMOS生产流程及电学参数测量 | 第12-25页 |
| 2.1 现代CMOS生产流程 | 第12-21页 |
| 2.1.1 CMOS晶体管前段工艺 | 第13-19页 |
| 2.1.2 CMOS晶体管后段工艺 | 第19-21页 |
| 2.2 工艺流程小节 | 第21页 |
| 2.3 电学参数测量体系和方法 | 第21-25页 |
| 2.3.1 电学测试工具简介 | 第21-22页 |
| 2.3.2 电学测试结构简介 | 第22-23页 |
| 2.3.3 漏极饱和电流的测量 | 第23-25页 |
| 第3章 集成电路生产中漏极饱和电流均匀性控制 | 第25-50页 |
| 3.1 漏极饱和电流物理意义及相关工艺 | 第25-28页 |
| 3.1.1 漏极饱和电流物理意义和相关工艺 | 第25-28页 |
| 3.2 多尺寸电性测试结构 | 第28-31页 |
| 3.2.1 软件简介 | 第28-29页 |
| 3.2.2 多尺寸电性测试结构 | 第29页 |
| 3.2.3 NMOS电性测试结构编写 | 第29-30页 |
| 3.2.4 多尺寸电性测试结构应用举例 | 第30-31页 |
| 3.3 漏极饱和电流对工艺波动敏感度确认 | 第31-44页 |
| 3.3.1 实验设计 | 第31-32页 |
| 3.3.2 工艺在线/离线数据收集 | 第32-35页 |
| 3.3.3 漏极饱和电流对工艺波动敏感度分析 | 第35-44页 |
| 3.4 工艺优化方案确定 | 第44-48页 |
| 3.4.1 工艺波动敏感度分析汇总： | 第44-45页 |
| 3.4.2 片内工艺波动情况汇总 | 第45-46页 |
| 3.4.3 确定需要优化工艺步骤 | 第46页 |
| 3.4.4 制定工艺优化指标。 | 第46-48页 |
| 3.5 漏极饱和电流均匀性控制成果 | 第48-49页 |
| 3.6 本章小节 | 第49-50页 |
| 第4章 后续工作 | 第50-52页 |
| 4.1 漏极饱和电流片间、批间均匀性控制 | 第50页 |
| 4.2 对后续技术节点的指导意义 | 第50-51页 |
| 4.3 本章小节 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-54页 |
| 总结 | 第52页 |
| 不足与展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 附录A | 第59-66页 |
| 致谢 | 第66页 |
