| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·3D 集成电路的发展 | 第7-9页 |
| ·硅通孔技术 | 第9-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-12页 |
| ·本文主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 TSV 建模及参数提取 | 第13-27页 |
| ·部分等效元电路法 | 第13-15页 |
| ·TSV 建模及参数提取 | 第15-21页 |
| ·TSV 的 MOS 寄生电容建模 | 第18-19页 |
| ·TSV 的电阻和电感建模 | 第19-20页 |
| ·硅衬底的电容和电导建模 | 第20-21页 |
| ·TSV 电学模型验证 | 第21-24页 |
| ·S 参数 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 TSV 电学特性分析 | 第27-39页 |
| ·TSV 频域特性分析 | 第27-32页 |
| ·TSV 氧化物隔离层的厚度 tox对传输特性的影响 | 第28-29页 |
| ·TSV 直径 dTSV对传输特性的影响 | 第29-30页 |
| ·TSV 间距 pTSV对传输特性的影响 | 第30页 |
| ·TSV 高度 dTSV对传输特性的影响 | 第30-31页 |
| ·硅电导率σ_si对传输特性的影响 | 第31-32页 |
| ·TSV 时域特性分析 | 第32-36页 |
| ·TDR/TDT 分析 | 第32-34页 |
| ·眼图分析 | 第34-36页 |
| ·本章小结 | 第36-39页 |
| 第四章 TSV 噪声耦合与抑制 | 第39-55页 |
| ·TSV 噪声耦合方式 | 第39-41页 |
| ·TSV 噪声耦合建模与分析 | 第41-46页 |
| ·TSV 噪声耦合建模 | 第41-43页 |
| ·TSV 噪声耦合模型的验证与分析 | 第43-46页 |
| ·TSV 噪声耦合的屏蔽结构 | 第46-48页 |
| ·屏蔽 TSV 结构的建模与分析 | 第48-54页 |
| ·屏蔽 TSV 模型的验证 | 第48-49页 |
| ·屏蔽 TSV 的频域分析 | 第49-52页 |
| ·屏蔽 TSV 的时域分析 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| ·总结 | 第55-56页 |
| ·展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 研究成果 | 第63-64页 |