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宽频带CMOS压控振荡器设计

摘要第1-4页
Abstract第4-5页
目录第5-7页
第一章 绪论第7-11页
   ·研究的目的与意义第7页
   ·国内外研究现状第7-8页
   ·论文的结构安排第8-11页
第二章 振荡器概述第11-31页
   ·振荡器的性能参数第11-12页
   ·振荡器的基本原理第12-20页
     ·反馈模型第12-13页
     ·单端口模型第13-14页
     ·交叉耦合振荡器第14-18页
     ·压控振荡器第18-20页
   ·片上电感和电容第20-26页
     ·片上电感第20-23页
     ·变容管第23-25页
     ·谐振回路的 Q 值第25-26页
   ·宽带 VCO第26-28页
   ·压控振荡器的数学模型第28-29页
   ·小结第29-31页
第三章 振荡器相位噪声第31-45页
   ·相位噪声基础第31-34页
     ·电路中的噪声源第31-32页
     ·相位噪声第32-33页
     ·相位噪声的影响第33-34页
   ·相位噪声模型第34-41页
     ·线性时不变相位噪声模型第34-36页
     ·线性时变相位噪声模型第36-41页
   ·电路降噪技术第41-44页
     ·移除电流源第42页
     ·增加二倍频滤波器第42-43页
     ·多频带振荡器第43-44页
     ·差分调谐技术第44页
   ·小结第44-45页
第四章 宽频带低噪声 LC-VCO 设计第45-63页
   ·结构选择第45-48页
   ·LC 谐振回路第48-49页
   ·偏置电流源第49-50页
   ·差分互耦对第50-52页
   ·变容管和开关电容单元设计第52-56页
   ·自动频率校准模块第56-59页
   ·仿真结果第59-60页
   ·小结第60-63页
第五章 总结与展望第63-65页
   ·工作总结第63页
   ·未来展望第63-65页
致谢第65-67页
参考文献第67-71页
研究成果第71-72页

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