CMOS工艺兼容硅基光互连的关键器件实现与建模
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 概述 | 第8-18页 |
| ·课题的提出背景 | 第8-12页 |
| ·互连面临的挑战 | 第8-10页 |
| ·硅基光电子 | 第10-12页 |
| ·硅基光互连概述 | 第12-15页 |
| ·基本理论 | 第12-13页 |
| ·硅基光互连研究进展 | 第13-14页 |
| ·面临的挑战和机遇 | 第14-15页 |
| ·标准CMOS工艺 | 第15-16页 |
| ·研究目标 | 第16-17页 |
| ·本文工作 | 第17-18页 |
| ·研究内容 | 第17页 |
| ·论文的组织结构 | 第17-18页 |
| 第二章 硅基光电子理论 | 第18-31页 |
| ·硅基发光机理 | 第18-22页 |
| ·半导体发光概述 | 第18页 |
| ·复合理论 | 第18-19页 |
| ·与CMOS工艺兼容的硅基发光器件的理论分析 | 第19-21页 |
| ·复合机制 | 第21页 |
| ·Akil雪崩击穿机制 | 第21-22页 |
| ·光波导理论 | 第22-27页 |
| ·光波导概述 | 第22-23页 |
| ·光波的传播方式与模 | 第23-25页 |
| ·波动方程 | 第25-26页 |
| ·光波导的传输损耗机制 | 第26-27页 |
| ·光接收机概述 | 第27-31页 |
| ·基本工作原理 | 第27-28页 |
| ·性能参数 | 第28-31页 |
| 第三章 硅基光互连关键器件实现 | 第31-51页 |
| ·硅基发光器件 | 第31-37页 |
| ·发光器件概述 | 第31-32页 |
| ·器件结构 | 第32-35页 |
| ·器件驱动电路 | 第35-37页 |
| ·硅基光波导 | 第37-43页 |
| ·标准CMOS工艺 | 第37-38页 |
| ·场氧光波导 | 第38-40页 |
| ·PSG/BPSG光波导 | 第40-42页 |
| ·金属间氧化物光波导 | 第42-43页 |
| ·硅基光接收机 | 第43-51页 |
| ·几种CMOS工艺兼容的光电探测器 | 第43-44页 |
| ·新型硅高速光电探测器 | 第44-46页 |
| ·器件模拟与分析 | 第46-49页 |
| ·前置跨阻放大器(TIA) | 第49-51页 |
| 第四章 硅基光互连方案及其版图 | 第51-55页 |
| ·环形光互连 | 第51-53页 |
| ·整体构思 | 第51-52页 |
| ·具体实现 | 第52页 |
| ·版图 | 第52-53页 |
| ·直线光互连 | 第53-54页 |
| ·整体版图 | 第54-55页 |
| 第五章 硅基光互连关键器件建模 | 第55-64页 |
| ·反偏击穿LED建模 | 第55-60页 |
| ·实验测试结果 | 第55-56页 |
| ·器件电路模型 | 第56-60页 |
| ·带浅沟槽双光电探测器建模 | 第60-64页 |
| ·实验结果 | 第60-61页 |
| ·模型的修正及改进 | 第61-64页 |
| 第六章 总结和展望 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
