当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
场效应器件
--
硅栅器件
短沟道MOST温度特性的建模
SiO2/SiC界面质量对n沟SiC MOSFET器件性能影响的研究
[1]
