| 第一章 引言 | 第1-13页 |
| ·微电子工艺的发展概述 | 第10-11页 |
| ·工艺模拟的必要性 | 第11-13页 |
| 第二章 集成电路工艺基础 | 第13-28页 |
| ·扩散原理 | 第13-119页 |
| ·一维费克扩散方程 | 第14-15页 |
| ·扩散的原子模型 | 第15-17页 |
| ·扩散分布的SUPREM模拟 | 第17-19页 |
| ·小结 | 第19-119页 |
| ·离子注入 | 第119-28页 |
| ·离子注入系统 | 第19-20页 |
| ·库仑散射 | 第20-21页 |
| ·沟道效应和横向投影射程 | 第21-22页 |
| ·注入损伤 | 第22-25页 |
| ·浅结的形成 | 第25-26页 |
| ·用SUPREM模拟注入的分布 | 第26-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 第三章 杂质原子与扩展缺陷的相互作用 | 第28-37页 |
| ·离子注入缺陷 | 第28页 |
| ·杂质在缺陷周围的析出 | 第28-37页 |
| ·具有恒定硼浓度硅片中硼的析出实验 | 第28-37页 |
| 第四章 硼在Rp缺陷的析出 | 第37-55页 |
| ·硼在Rp缺陷的析出实验 | 第37-44页 |
| ·硼在Rp缺陷的析出模型 | 第44-55页 |
| ·研究背景 | 第45-46页 |
| ·析出模型 | 第46-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 附录 | 第59-65页 |
| 个人简历 | 第65页 |