高压功率VDMOSFET的设计与研制
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·功率MOSFET器件概述 | 第7-12页 |
| ·常规MOS器件 | 第7-8页 |
| ·LDMOSFET | 第8-9页 |
| ·VVMOSFET | 第9-10页 |
| ·VUMOSFET | 第10页 |
| ·VDMOSFET | 第10-12页 |
| ·VDMOSFET工作原理及I-V特性 | 第12-15页 |
| ·VDMOSFET工作原理 | 第12-13页 |
| ·I-V特性 | 第13-15页 |
| ·VDMOSFET的市场应用及国内外发展现状 | 第15-16页 |
| ·应用领域及市场规模 | 第15页 |
| ·国外发展现状 | 第15页 |
| ·国内发展现状 | 第15-16页 |
| ·本文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 高压功率VDMOSFET结构设计 | 第17-37页 |
| ·设计指标 | 第17页 |
| ·纵向结构设计 | 第17-31页 |
| ·理论分析 | 第18-30页 |
| ·设计考虑 | 第30-31页 |
| ·横向结构设计 | 第31-36页 |
| ·元胞形状的选取 | 第31-32页 |
| ·元胞尺寸的设计 | 第32-33页 |
| ·结终端结构设计 | 第33-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 器件结构优化设计 | 第37-51页 |
| ·仿真软件介绍 | 第37-44页 |
| ·Medici器件仿真软件 | 第37-43页 |
| ·TSUPREM-4 工艺仿真软件 | 第43-44页 |
| ·仿真结果及分析 | 第44-50页 |
| ·器件参数及仿真测试要求 | 第45页 |
| ·仿真优化过程分析 | 第45-46页 |
| ·元胞和结终端仿真结构 | 第46页 |
| ·仿真优化结果 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 工艺设计及器件研制 | 第51-59页 |
| ·工艺设计 | 第51-54页 |
| ·设计原则 | 第51页 |
| ·前部芯片工艺流程设计 | 第51-52页 |
| ·后部封装工艺流程设计 | 第52-54页 |
| ·器件研制及结果分析 | 第54-58页 |
| ·测试结果 | 第54-57页 |
| ·元胞结构及器件版图 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 研究成果 | 第65-67页 |
| 附录 | 第67-79页 |
