200V大功率VDMOSFET设计研究

摘要	第1-4页
Abstract	第4-7页
第一章 绪论	第7-11页
·VDMOS 的主要应用范围	第7-8页
·VDMOS 与双极晶体管	第8-9页
·本文主要工作	第9-11页
第二章 VDMOS 结构参数设计分析研究	第11-33页
·VDMOS 的结构与工作原理	第11-12页
·设计指标	第12页
·电学参数设计	第12-29页
·击穿电压	第13-22页
·阈值电压	第22-23页
·电流	第23-24页
·导通电阻	第24-26页
·温度影响及安全工作区	第26-28页
·横向结构参数设计考虑	第28-29页
·版图设计	第29-30页
·小结	第30-33页
第三章 器件仿真研究	第33-43页
·器件电学特性仿真	第33-35页
·工艺设计及仿真	第35-40页
·离子注入	第36-37页
·薄膜的淀积	第37-38页
·工艺流程	第38页
·工艺仿真	第38-40页
·小结	第40-43页
第四章 器件研制	第43-47页
·器件研制	第43页
·研制结果	第43-45页
·小结	第45-47页
第五章 封装	第47-51页
·封装工艺流程	第47-48页
·多余物的问题解决	第48-49页
·封装气密性问题的解决	第49页
·小结	第49-51页
第六章 结束语	第51-53页
致谢	第53-55页
参考文献	第55-57页
研究成果	第57-58页