| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·引言 | 第7-12页 |
| ·本文研究的目的和意义 | 第12页 |
| ·内容简介 | 第12-15页 |
| 第二章 理论分析 | 第15-35页 |
| ·In_(0.53)Ga_(0.47)As PIN 光电探测器原理概述 | 第15-18页 |
| ·关键性能参数的理论分析 | 第18-35页 |
| ·暗电流 | 第18-21页 |
| ·反向击穿电压 | 第21-23页 |
| ·量子效率和响应度 | 第23-26页 |
| ·电容 | 第26页 |
| ·带宽 | 第26-28页 |
| ·非线性失真 | 第28-35页 |
| 第三章 探测器芯片设计 | 第35-43页 |
| ·探测器芯片外延层结构设计 | 第35-37页 |
| ·探测器芯片图形结构设计 | 第37-43页 |
| 第四章 工艺设计 | 第43-59页 |
| ·制作工艺 | 第43-45页 |
| ·关键工艺设计 | 第45-59页 |
| ·PECVD 工艺 | 第45-50页 |
| ·光刻工艺 | 第50-53页 |
| ·化和物腐蚀工艺 | 第53-55页 |
| ·扩散工艺 | 第55-59页 |
| 第五章 关键参数测试及结果讨论 | 第59-71页 |
| ·暗电流测试 | 第59-60页 |
| ·击穿电压测试 | 第60-61页 |
| ·正向电压测试 | 第61-62页 |
| ·响应度测试 | 第62-63页 |
| ·带宽测试 | 第63-64页 |
| ·电容测试 | 第64-65页 |
| ·线性度测试 | 第65页 |
| ·失真测试 | 第65-68页 |
| ·小结 | 第68-71页 |
| 第六章 结束语 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 研究成果 | 第77-78页 |