摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
目录 | 第8-10页 |
第1章 绪论 | 第10-18页 |
1.1 垂直腔面发射激光器的发展及特点 | 第10-13页 |
1.1.1 垂直腔面发射激光器的发展过程 | 第10-11页 |
1.1.2 垂直腔面发射激光器的特点 | 第11-13页 |
1.2 波长可调谐垂直腔面发射激光器的现状 | 第13-17页 |
1.2.1 波长可调谐 VCSEL 的调谐方式 | 第13-15页 |
1.2.2 波长可调谐 VCSEL 的应用 | 第15-17页 |
1.3 本论文的研究工作 | 第17-18页 |
第2章 内腔液晶波长可调谐 VCSEL的原理 | 第18-28页 |
2.1 垂直腔面发射激光器的基本原理 | 第18-19页 |
2.2 向列相型液晶的双折射特性 | 第19-24页 |
2.2.1 液晶及其种类 | 第19-20页 |
2.2.2 向列相型液晶的电控双折射特性 | 第20-24页 |
2.2.3 向列相型液晶的温控双折射特性 | 第24页 |
2.3 波长可调谐 VCSEL 的调谐原理 | 第24-27页 |
2.3.1 VCSEL 的谐振条件 | 第24-25页 |
2.3.2 MEMS 结构波长可调谐 VCSEL | 第25-26页 |
2.3.3 液晶结构波长可调谐 VCSEL | 第26-27页 |
2.4 本章小结 | 第27-28页 |
第3章 内腔液晶波长可调谐 VCSEL的结构设计 | 第28-38页 |
3.1 内腔液晶波长可调谐 VCSEL 的结构 | 第28-29页 |
3.2 光栅取向原理 | 第29-32页 |
3.2.1 液晶取向技术 | 第29-31页 |
3.2.2 光栅取向结构设计 | 第31-32页 |
3.3 内腔液晶波长可调谐 VCSEL 的特性设计 | 第32-35页 |
3.3.1 液晶层厚度 | 第32-33页 |
3.3.2 液晶分子旋转角度 | 第33-35页 |
3.4 本章小结 | 第35-38页 |
第4章 内腔液晶波长可调谐 VCSEL的关键工艺研究 | 第38-50页 |
4.1 液晶盒的结构及工艺研究 | 第38-42页 |
4.1.1 液晶盒的结构设计 | 第38页 |
4.1.2 液晶盒的取向层制备 | 第38-39页 |
4.1.3 毛细原理及液晶注入 | 第39-40页 |
4.1.4 液晶盒的制备工艺方案 | 第40-42页 |
4.2 内腔液晶波长可调谐 VCSEL 发光区的制备工艺 | 第42-47页 |
4.2.1 光刻及台面腐蚀工艺 | 第42-44页 |
4.2.2 湿氮氧化工艺 | 第44-46页 |
4.2.3 发光区制备工艺方案 | 第46-47页 |
4.3 内腔液晶波长可调谐 VCSEL 的整体工艺 | 第47-48页 |
4.4 本章小结 | 第48-50页 |
第5章 表面液晶-VCSEL器件的测试与分析 | 第50-60页 |
5.1 垂直腔面发射激光器的特性测试系统 | 第50页 |
5.2 表面液晶-垂直腔面发射激光器的结构 | 第50-51页 |
5.3 表面液晶-垂直腔面发射激光器的测试与分析 | 第51-56页 |
5.3.1 表面液晶-VCSEL 的 I-P 特性随温度变化的关系 | 第51-54页 |
5.3.2 表面液晶-VCSEL 阈值电流及峰值功率随温度变化的关系 | 第54-56页 |
5.4 VCSEL 偏振跳变点随温度变化的关系 | 第56-58页 |
5.5 本章小结 | 第58-60页 |
结论 | 第60-62页 |
参考文献 | 第62-66页 |
攻读硕士期间发表的论文 | 第66-68页 |
致谢 | 第68页 |