首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--光电子技术、激光技术论文--激光技术、微波激射技术论文--激光器论文--半导体激光器论文

液晶可调谐垂直腔面发射激光器的设计和制备研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
目录第8-10页
第1章 绪论第10-18页
    1.1 垂直腔面发射激光器的发展及特点第10-13页
        1.1.1 垂直腔面发射激光器的发展过程第10-11页
        1.1.2 垂直腔面发射激光器的特点第11-13页
    1.2 波长可调谐垂直腔面发射激光器的现状第13-17页
        1.2.1 波长可调谐 VCSEL 的调谐方式第13-15页
        1.2.2 波长可调谐 VCSEL 的应用第15-17页
    1.3 本论文的研究工作第17-18页
第2章 内腔液晶波长可调谐 VCSEL的原理第18-28页
    2.1 垂直腔面发射激光器的基本原理第18-19页
    2.2 向列相型液晶的双折射特性第19-24页
        2.2.1 液晶及其种类第19-20页
        2.2.2 向列相型液晶的电控双折射特性第20-24页
        2.2.3 向列相型液晶的温控双折射特性第24页
    2.3 波长可调谐 VCSEL 的调谐原理第24-27页
        2.3.1 VCSEL 的谐振条件第24-25页
        2.3.2 MEMS 结构波长可调谐 VCSEL第25-26页
        2.3.3 液晶结构波长可调谐 VCSEL第26-27页
    2.4 本章小结第27-28页
第3章 内腔液晶波长可调谐 VCSEL的结构设计第28-38页
    3.1 内腔液晶波长可调谐 VCSEL 的结构第28-29页
    3.2 光栅取向原理第29-32页
        3.2.1 液晶取向技术第29-31页
        3.2.2 光栅取向结构设计第31-32页
    3.3 内腔液晶波长可调谐 VCSEL 的特性设计第32-35页
        3.3.1 液晶层厚度第32-33页
        3.3.2 液晶分子旋转角度第33-35页
    3.4 本章小结第35-38页
第4章 内腔液晶波长可调谐 VCSEL的关键工艺研究第38-50页
    4.1 液晶盒的结构及工艺研究第38-42页
        4.1.1 液晶盒的结构设计第38页
        4.1.2 液晶盒的取向层制备第38-39页
        4.1.3 毛细原理及液晶注入第39-40页
        4.1.4 液晶盒的制备工艺方案第40-42页
    4.2 内腔液晶波长可调谐 VCSEL 发光区的制备工艺第42-47页
        4.2.1 光刻及台面腐蚀工艺第42-44页
        4.2.2 湿氮氧化工艺第44-46页
        4.2.3 发光区制备工艺方案第46-47页
    4.3 内腔液晶波长可调谐 VCSEL 的整体工艺第47-48页
    4.4 本章小结第48-50页
第5章 表面液晶-VCSEL器件的测试与分析第50-60页
    5.1 垂直腔面发射激光器的特性测试系统第50页
    5.2 表面液晶-垂直腔面发射激光器的结构第50-51页
    5.3 表面液晶-垂直腔面发射激光器的测试与分析第51-56页
        5.3.1 表面液晶-VCSEL 的 I-P 特性随温度变化的关系第51-54页
        5.3.2 表面液晶-VCSEL 阈值电流及峰值功率随温度变化的关系第54-56页
    5.4 VCSEL 偏振跳变点随温度变化的关系第56-58页
    5.5 本章小结第58-60页
结论第60-62页
参考文献第62-66页
攻读硕士期间发表的论文第66-68页
致谢第68页

论文共68页,点击 下载论文
上一篇:Si基GaNHEMT结构MOCVD生长研究
下一篇:GaN LED参数退化模型的研究