| 中文摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 集成电路产业的发展现状与趋势 | 第7-10页 |
| 1.1 集成电路产业的发展现状 | 第7-9页 |
| 1.2 集成电路产业的发展趋势 | 第9-10页 |
| 第二章 失效分析的产生和意义 | 第10-12页 |
| 2.1 失效分析的产生和意义 | 第10-11页 |
| 2.2 失效分析对可靠性的提升 | 第11页 |
| 2.3 失效分析对良品率的提升 | 第11-12页 |
| 第三章 失效分析的工具和方法 | 第12-27页 |
| 3.1 失效分析的常用工具 | 第12-22页 |
| 3.1.1 光学显微镜 Optic Microscope | 第13-14页 |
| 3.1.2 扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscopy) SEM | 第14-18页 |
| 3.1.3 聚焦式离子束显微镜(Focused Ion Beam) FIB | 第18页 |
| 3.1.4 透射式电子显微镜(Transmission Electron Microscopy) TEM | 第18-21页 |
| 3.1.5 能量散布分析仪(Energy Dispersive Spectrometer) EDS | 第21-22页 |
| 3.2 失效分析的常用方法 | 第22-27页 |
| 第四章 DRAM器件的基本介绍 | 第27-38页 |
| 4.1 内存的种类 | 第27页 |
| 4.2 DRAM市场的现状与发展 | 第27-28页 |
| 4.3 DRAM器件的基本结构 | 第28-29页 |
| 4.4 DRAM器件的晶圆制造工艺 | 第29-38页 |
| 4.4.1 DRAM器件晶圆制造的前段工艺 | 第29-34页 |
| 4.4.2 DRAM器件晶圆制造的后段工艺 | 第34-38页 |
| 第五章 失效分析在DRAM中的应用 | 第38-47页 |
| 5.1 DRAM产品的样品制备 | 第38-41页 |
| 5.2 DRAM产品的失效分析过程 | 第41-42页 |
| 5.3 失效分析如何提升良品率 | 第42-47页 |
| 5.3.1 AA Bridge | 第43-44页 |
| 5.3.2 SAC Open | 第44-47页 |
| 第六章 总结 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50页 |
