三维集成叠层键合结构的电容电压表征技术
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 专用术语注释表 | 第10-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-27页 |
| 1.1 三维集成及其基本结构 | 第15-17页 |
| 1.2 三维集成中的键合技术 | 第17-18页 |
| 1.3 键合质量的表征与评价 | 第18-25页 |
| 1.3.1 键合成像法 | 第18-20页 |
| 1.3.2 横截面分析法 | 第20-21页 |
| 1.3.3 键合强度测量法 | 第21-23页 |
| 1.3.4 电学表征法 | 第23-24页 |
| 1.3.5 表征方法的比较 | 第24-25页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第25-27页 |
| 第二章 MIS结构电容-电压特性的校准 | 第27-37页 |
| 2.1 理想电容-电压模型 | 第27-30页 |
| 2.2 模型校准 | 第30-33页 |
| 2.2.1 衬底表面势校准 | 第30-31页 |
| 2.2.2 反型条件校准 | 第31-32页 |
| 2.2.3 弱反型区校准 | 第32-33页 |
| 2.3 界面态对电容-电压特性的影响 | 第33-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 理想叠层键合结构的电容-电压特性 | 第37-53页 |
| 3.1 理想电容-电压模型 | 第37-40页 |
| 3.2 机理分析 | 第40-48页 |
| 3.2.1 空间电荷层 | 第40-43页 |
| 3.2.2 半导体表面势 | 第43-46页 |
| 3.2.3 金属层电势 | 第46-48页 |
| 3.3 结构参数对电容-电压特性的影响 | 第48-51页 |
| 3.3.1 半导体掺杂浓度 | 第48-50页 |
| 3.3.2 绝缘层厚度 | 第50-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 实际叠层键合结构的电容-电压特性 | 第53-63页 |
| 4.1 实际电容-电压模型及曲线类型 | 第53-57页 |
| 4.2 实际电容-电压特性 | 第57-61页 |
| 4.2.1 金属与半导体功函数差 | 第57-58页 |
| 4.2.2 绝缘层电荷 | 第58-59页 |
| 4.2.3 界面态 | 第59-61页 |
| 4.3 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 叠层键合结构的参数提取 | 第63-76页 |
| 5.1 提取方法 | 第63-65页 |
| 5.2 绝缘层厚度 | 第65-66页 |
| 5.3 半导体掺杂浓度 | 第66页 |
| 5.4 绝缘层电荷 | 第66-73页 |
| 5.4.1 提取公式 | 第66-69页 |
| 5.4.2 公式简化 | 第69-73页 |
| 5.5 界面态密度 | 第73-75页 |
| 5.6 本章小结 | 第75-76页 |
| 第六章 叠层键合结构的研制及表征 | 第76-90页 |
| 6.1 铜铜键合 | 第76-77页 |
| 6.2 制备过程 | 第77-81页 |
| 6.2.1 MIS结构的制备过程 | 第77-80页 |
| 6.2.2 叠层键合结构的制备过程 | 第80-81页 |
| 6.3 高频电容-电压特性测试 | 第81-83页 |
| 6.3.1 MIS结构的测试 | 第81-82页 |
| 6.3.2 叠层键合结构的测试 | 第82-83页 |
| 6.4 参数提取 | 第83-88页 |
| 6.4.1 MIS结构的参数提取 | 第83-84页 |
| 6.4.2 叠层键合结构的参数提取 | 第84-85页 |
| 6.4.3 模型校准 | 第85-88页 |
| 6.5 SEM测试 | 第88-89页 |
| 6.6 本章小结 | 第89-90页 |
| 第七章 总结与展望 | 第90-92页 |
| 7.1 工作总结 | 第90-91页 |
| 7.2 研究展望 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-96页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第96-97页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第97-98页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第98-99页 |
| 附录4 攻读硕士学位期间获得的奖项 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100页 |
