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基于65nm CMOS工艺的ECC eFuse 1KB电路设计

摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第一章 绪论第7-13页
   ·课题研究背景第7-10页
     ·传统熔丝的发展和所面临的问题第7-8页
     ·eFuse 技术概述和发展前景第8-10页
     ·国内外发展现状第10页
   ·65nm 工艺特点第10-11页
   ·本文工作内容及章节安排第11-13页
     ·本文工作内容第11页
     ·章节安排第11-13页
第二章 ECC_eFuse 工作原理第13-21页
   ·eFuse 工作原理第13-16页
     ·eFuse 的基本原理和电学特性第13-14页
     ·eFuse 材料及基本外形结构的选择第14-16页
   ·本项目中的 eFuse第16-17页
     ·本项目中的 eFuse 结构第16页
     ·本项目中 eFuse 的编程实现第16-17页
   ·ECC 算法简介第17-19页
   ·本章小结第19-21页
第三章 基于 65nm CMOS 工艺的 ECC_eFuse_1KB 电路设计第21-35页
   ·ECC_eFuse 顶层结构及仿真环境简介第21-22页
     ·ECC_eFuse 顶层结构第21-22页
     ·仿真环境第22页
   ·译码模块的设计第22-25页
     ·解码部分的实现方案第22-23页
     ·缓冲器和电平转换电路第23-25页
   ·编译模块的设计第25-28页
     ·eFuse 单元电路第25-27页
     ·1KB 个 eFuse 单元的电路结构设计第27页
     ·备用 128bits eFuse 单元的选通及控制第27-28页
     ·编译模块的输出设计第28页
   ·ECC 模块的设计第28-31页
     ·128 位计数器的设计第28-30页
     ·缓存器的设计第30页
     ·ECC 算法单元设计第30-31页
     ·ECC 结果的永久刻录第31页
   ·输出模块的设计第31-33页
   ·本章小结第33-35页
第四章 ECC_eFuse 电路的仿真结果第35-43页
   ·ECC_eFuse 电路顶层模块的仿真结果第35-38页
     ·Pre_Program 仿真结果第35-36页
     ·电路读写模式仿真结果第36-38页
     ·非激活模式仿真结果第38页
   ·ECC_eFuse 关键模块的仿真结果第38-41页
     ·译码模块的仿真第38-39页
     ·编译模块的仿真第39-40页
     ·ECC 模块的仿真第40-41页
     ·输出模块的仿真第41页
   ·本章小结第41-43页
第五章 版图设计第43-49页
   ·ECC_eFuse 电路的整体版图设计第43-44页
   ·各关键模块的版图设计第44-47页
     ·译码模块的版图设计第44-45页
     ·编译模块的版图设计第45-46页
     ·ECC 模块的版图设计第46-47页
     ·输出模块的版图设计第47页
   ·本章小结第47-49页
第六章 测试结果分析第49-63页
   ·Pre_program 测试第49-50页
   ·Post_program 测试第50-52页
   ·eFuse 可靠性测试第52-61页
     ·TC 测试第52-54页
     ·HTS 测试第54-59页
     ·HAST 测试第59-60页
     ·三种测试结果总结第60-61页
   ·本章小结第61-63页
第七章 总结第63-65页
致谢第65-67页
参考文献第67-69页

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