高精度高电源电压抑制比CMOS带隙基准源设计
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·基准源电路的研究背景和意义 | 第7页 |
| ·国内外研究历史、现状与发展趋势 | 第7-9页 |
| ·论文结构 | 第9-11页 |
| 第二章 电压基准源的基本理论 | 第11-21页 |
| ·带隙电压基准源的性能参数 | 第11-12页 |
| ·电压基准源精度 | 第11页 |
| ·温度系数 | 第11页 |
| ·输出噪声 | 第11页 |
| ·功耗 | 第11-12页 |
| ·电源电压抑制比（PSRR） | 第12页 |
| ·电源电压调整率 | 第12页 |
| ·启动时间 | 第12页 |
| ·带隙电压基准源的工作原理 | 第12-16页 |
| ·VBE的负温度系数 | 第13-14页 |
| ·VBE的正温度系数 | 第14-15页 |
| ·带隙电压基准的产生 | 第15-16页 |
| ·传统的带隙电压基准源的电路结构 | 第16-20页 |
| ·Widlar带隙基准源电路 | 第16-17页 |
| ·Kujik 带隙基准源电路 | 第17-18页 |
| ·Brokaw 带隙基准源电路 | 第18-19页 |
| ·CMOS带隙基准源 | 第19-20页 |
| ·小结 | 第20-21页 |
| 第三章 基准电压源的高阶温度补偿策略 | 第21-31页 |
| ·VBE的高阶温度特性 | 第21-22页 |
| ·几种典型的高阶温度补偿方法 | 第22-28页 |
| ·利用不同温度系数的电阻实现二阶温度补偿 | 第22-23页 |
| ·VBE线性化 | 第23-25页 |
| ·二阶曲率补偿法 | 第25-26页 |
| ·指数型温度曲率补偿 | 第26-27页 |
| ·分段线性补偿法 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-31页 |
| 第四章 高精度高电源电压抑制比带隙基准电压源设计 | 第31-63页 |
| ·基准源的总体设计 | 第31-32页 |
| ·电压基准源核心电路的设计 | 第32-47页 |
| ·低电源电压的设计方案 | 第32-36页 |
| ·高电源电压抑制比（PSRR）方案 | 第36-41页 |
| ·高精度的温度补偿方法 | 第41-43页 |
| ·带隙核心电路设计及参数设计 | 第43-47页 |
| ·运算放大器的设计 | 第47-54页 |
| ·运放对带隙电压基准源性能的影响 | 第47-49页 |
| ·电路结构的选择与设计 | 第49-54页 |
| ·启动电路的设计 | 第54-55页 |
| ·带隙电压基准源的主要误差分析 | 第55-60页 |
| ·电流镜失配和电阻失配的影响 | 第56-59页 |
| ·运算放大器的输入失调电压 | 第59页 |
| ·PNP 双极型晶体管引进的误差 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-63页 |
| 第五章 带隙电压基准源整体电路的仿真结果 | 第63-71页 |
| ·典型工艺库（tt）下带隙基准电压源的仿真结果 | 第63-68页 |
| ·带隙基准源的启动时间 | 第63页 |
| ·温度特性 | 第63-65页 |
| ·电源电压抑制比 | 第65页 |
| ·电源电压调整率 | 第65-66页 |
| ·电源电压稳定性 | 第66页 |
| ·输出噪声 | 第66-67页 |
| ·基准环路的稳定性 | 第67-68页 |
| ·带隙电压基准源的工艺角仿真 | 第68-69页 |
| ·温度特性的工艺角仿真 | 第68-69页 |
| ·电源电压抑制比的工艺角仿真 | 第69页 |
| ·小结 | 第69-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-79页 |
| 科研成果 | 第79-80页 |
