| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-22页 |
| ·计算机工艺发展现状 | 第12-15页 |
| ·量子计算机 | 第13-14页 |
| ·光子计算机 | 第14页 |
| ·生物计算机（分子计算机） | 第14-15页 |
| ·纳米计算机 | 第15页 |
| ·国内外研究现状 | 第15-18页 |
| ·纳米级器件的优势与面临的挑战 | 第18-20页 |
| ·纳米材料的四个基本效应 | 第18-19页 |
| ·纳米器件的优势 | 第19-20页 |
| ·所面临的挑战 | 第20页 |
| ·本文主要内容 | 第20-22页 |
| 第二章 纳米器件的分类及主要应用 | 第22-40页 |
| ·常见的几种纳米器件 | 第22-30页 |
| ·共振隧穿二极管 | 第22页 |
| ·单电子晶体管 | 第22-24页 |
| ·分子开关和纳米交叉开关 | 第24-29页 |
| ·交叉纳米线场效应管（cNW-FET） | 第29-30页 |
| ·器件模拟方法 | 第30-33页 |
| ·通用器件模型（UDM） | 第33-39页 |
| ·UDM 模型原理 | 第34-38页 |
| ·UDM 模型的工作机制 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 基于UDM 模型对纳米交叉开关器件模拟 | 第40-52页 |
| ·UDM 模型参数提取工具的不足与改进 | 第40-46页 |
| ·Matthew M. Ziegler 等的改进 | 第40-41页 |
| ·自己的分析与改进 | 第41-46页 |
| ·对交叉开关型的分子器件的模拟 | 第46-49页 |
| ·结果分析 | 第49-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 基于纳米交叉开关分子器件的高密度存储器设计 | 第52-64页 |
| ·纳米交叉开关分子器件的优势 | 第53-54页 |
| ·纳米交叉结构存储器基本结构的设计 | 第54-56页 |
| ·基本的存储阵列 | 第54-55页 |
| ·纳米交叉开关存储单元读写过程分析 | 第55-56页 |
| ·存储单位的误读分析 | 第56-63页 |
| ·误读现象 | 第56-61页 |
| ·两种接地解决办法 | 第61-62页 |
| ·单分子整流器 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第五章 纳米交叉分子器件的高密度存储器的并行访问 | 第64-74页 |
| ·并行访问的原理 | 第64-65页 |
| ·并行访问的硬件设计 | 第65-69页 |
| ·经典地址译码器 | 第66-67页 |
| ·并行寻址译码器 | 第67-68页 |
| ·存储器的结构 | 第68-69页 |
| ·并行读写过程 | 第69-72页 |
| ·纳米存储器设计注意事项 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 结束语 | 第74-76页 |
| ·论文总结 | 第74页 |
| ·进一步的研究方向 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第80-81页 |
| 作者在学期间参加的科研工作 | 第81页 |